Um artigo técnico intitulado “Memristores de junção de túnel ferroelétrico para aceleradores de computação em memória” foi publicado por pesquisadores da Universidade de Lund.
Abstrato:
“A computação neuromórfica tem despertado grande interesse à medida que os avanços nas aplicações de inteligência artificial (IA) expuseram limitações devido ao acesso intenso à memória, com a arquitetura de computação von Neumann. A computação paralela na memória fornecida pela computação neuromórfica tem o potencial de melhorar significativamente a latência e o consumo de energia. A chave para o hardware de computação neuromórfica analógica são os memristores, que fornecem níveis de condutância multiestado não voláteis, alta velocidade de comutação e eficiência energética. Os memristores de junção de túnel ferroelétrico (FTJ) são os principais candidatos para esse propósito, mas o impacto das características específicas em seu desempenho na integração em grandes matrizes de barra transversal, o elemento central de computação para inferência e treinamento em redes neurais profundas, requer uma investigação minuciosa. Neste trabalho, um W/Hf x Zr1-x O2/TiN FTJ com 60 estados de condutância programáveis, faixa dinâmica (DR) de até 10, densidade de corrente >3 A m-2 at V ler = 0.3 V e corrente-tensão altamente não linear (4) características (> 1100) são demonstradas experimentalmente. Usando um macromodelo de circuito, o desempenho em nível de sistema de uma matriz de barra transversal verdadeira é avaliado e uma precisão de classificação de 92% do conjunto de dados do instituto nacional modificado de ciência e tecnologia (MNIST) é alcançada. Finalmente, a baixa condutância em combinação com a alta não linearidade 4 características permitem a realização de grandes matrizes de barra cruzada sem seletor para aceleradores de hardware neuromórficos.
Encontre o artigo técnico aqui. Publicado em dezembro de 2023.
Athle, R. e Borg, M. (2023), Memristores de junção de túnel ferroelétrico para aceleradores de computação em memória. Av. Intel. Sist. 2300554. https://doi.org/10.1002/aisy.202300554
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- Fonte: https://semiengineering.com/ferroelectric-tunnel-junctions-in-crossbar-array-analog-in-memory-compute-accelerators/
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