Nexperia wprowadza na rynek dyskretne urządzenia 1200 V jako pierwsze tranzystory MOSFET z węglika krzemu

Opublikowane ponownie przez Plato

Obserwuje: 0

Listopada 30 2023

Projektant i producent urządzeń dyskretnych Nexperia B.V. z Nijmegen w Holandii (spółka zależna Wingtech Technology Co Ltd) ogłosiła wprowadzenie na rynek swoich pierwszych tranzystorów MOSFET z węglika krzemu (SiC) wprowadzając na rynek dwa dyskretne urządzenia 1200 V w 3-pinowym opakowaniu TO-247 z RDS (wł.) wartości 40 mΩ i 80 mΩ. NSF040120L3A0 i NSF080120L3A0 to pierwsze z serii planowanych premier, które spowodują szybkie rozszerzenie oferty Nexperia SiC MOSFET o urządzenia z różnymi standardami RDS (wł.) wartości w wyborze pakietów z otworami przelotowymi i do montażu powierzchniowego. To wydanie odpowiada na zapotrzebowanie rynku na zwiększoną dostępność wysokowydajnych tranzystorów MOSFET SiC w zastosowaniach przemysłowych, w tym w stacjach ładowania pojazdów elektrycznych (EV), zasilaczach bezprzerwowych (UPS) oraz falownikach do systemów fotowoltaicznych i magazynowania energii (ESS).

„Dzięki tym inauguracyjnym produktom Nexperia i Mitsubishi Electric chciały wprowadzić prawdziwą innowację na rynek, który domagał się większej liczby dostawców urządzeń o szerokiej przerwie energetycznej” – mówi Katrin Feurle, starszy dyrektor i szef grupy produktów SiC w Nexperia. „Nexperia może teraz zaoferować urządzenia SiC MOSFET, które oferują najlepszą w swojej klasie wydajność w zakresie kilku parametrów, w tym wysokiego RDS (wł.) stabilność temperaturowa, niski spadek napięcia diody na korpusie, wąska specyfikacja napięcia progowego oraz bardzo dobrze zrównoważony stosunek ładunku bramki, dzięki czemu urządzenie jest bezpieczne przed pasożytniczym włączeniem. To otwierający rozdział w naszym zaangażowaniu w produkcję najwyższej jakości tranzystorów MOSFET SiC we współpracy z Mitsubishi Electric” – dodaje.

„Wspólnie z Nexperia jesteśmy podekscytowani możliwością wprowadzenia nowych tranzystorów MOSFET SiC jako pierwszego produktu naszego partnerstwa” – komentuje Toru Iwagami, starszy dyrektor generalny Power Device Works, Semiconductor & Device Group w Mitsubishi Electric. „Mitsubishi Electric zgromadziło doskonałą wiedzę specjalistyczną w zakresie półprzewodników mocy SiC, a nasze urządzenia zapewniają wyjątkową równowagę charakterystyk," twierdzi.

W przypadku tranzystorów MOSFET SiC RDS (wł.) wpływa na straty mocy przewodzenia. Nexperia twierdzi, że uznała to za czynnik ograniczający wydajność wielu obecnie dostępnych urządzeń SiC i wykorzystała swoją technologię procesową, aby zapewnić, że nowe tranzystory MOSFET SiC zapewniają wiodącą w branży stabilność temperaturową przy wartości nominalnej RDS (wł.) rośnie jedynie o 38% w zakresie temperatur roboczych od 25°C do 175°C, w przeciwieństwie do wielu innych urządzeń SiC dostępnych obecnie na rynku, twierdzi Nexperia.

Firma twierdzi, że jej tranzystory MOSFET SiC wykazują również bardzo niski całkowity ładunek bramki (QG), co przynosi korzyść w postaci niższych strat napędu bramy. Co więcej, zrównoważony ładunek bramki Nexperia ma niski współczynnik QGD do QGS, co zwiększa odporność urządzenia na włączenie pasożytnicze.

Oprócz dodatniego współczynnika temperaturowego tranzystorów MOSFET SiC, Nexperia twierdzi, że ich tranzystory MOSFET SiC oferują również bardzo niski rozrzut napięcia progowego między urządzeniami, VGS (th), co pozwala na bardzo dobrze zrównoważoną obciążalność prądową w warunkach statycznych i dynamicznych, gdy urządzenia pracują równolegle. Ponadto niskie napięcie przewodzenia diody korpusu (VSD) to parametr, który zwiększa solidność i wydajność urządzenia, jednocześnie zmniejszając wymagania dotyczące czasu jałowego dla prostowania asynchronicznego i pracy na biegu jałowym.

NSF040120L3A0 i NSF080120L3A0 są już dostępne w ilościach produkcyjnych. Nexperia planuje także przyszłe wypuszczenie tranzystorów MOSFET do zastosowań motoryzacyjnych.

Zobacz powiązane elementy:

Mitsubishi Electric i Nexperia wspólnie opracowują półprzewodniki mocy SiC

Nexperia i KYOCERA AVX Salzburg wspólnie wyprodukują moduł prostowniczy SiC 650 V do zastosowań elektroenergetycznych

Nexperia rozszerza ofertę produktów o szerokim paśmie wzbronionym, wchodząc na rynek diod z węglika krzemu dużej mocy

tagi: Mitsubishi Electric MOSFET mocy SiC

Odwiedź: www.neexperia.com

Odwiedź: www.mitsubishielectric.com/semiconductors/powerdevices