ST øker EV-ytelsen og kjørerekkevidden med nye kraftmoduler av silisiumkarbid

Publisert av Platon

Følgere: 0

12 desember 2022

STMicroelectronics i Genève, Sveits har lansert nye høyeffekts silisiumkarbidmoduler (SiC) for elektriske kjøretøyer (EV-er) som øker ytelsen og rekkevidden. I produksjon nå er ACEPACK DRIVE-modulene valgt for Hyundais E-GMP elbilplattform (som deles av Kia EV6 og flere modeller).

Fem nye SiC MOSFET-baserte kraftmoduler gir fleksible valg for kjøretøyprodusenter, og dekker et utvalg av effektklassifiseringer og støtte for driftsspenninger som vanligvis brukes i EV-trekkapplikasjoner. Plassert i STs ACEPACK DRIVE-pakke optimalisert for trekkraftapplikasjoner, sies kraftmodulene å være pålitelige (på grunn av sintringsteknologi), robuste og enkle for produsenter å integrere i EV-stasjoner. Internt er hovedkrafthalvlederne STs tredjegenerasjons (Gen3) STPOWER SiC MOSFET-er, som kombinerer det som hevdes å være bransjeledende fortjeneste (RDS(ON) x dyseområde) med svært lav koblingsenergi og super ytelse i synkron retting.

"ST silisiumkarbidløsninger gjør det mulig for store OEM-er i bilindustrien å sette tempoet i elektrifiseringen når de utvikler fremtidige generasjoner av elbiler," sier Marco Monti, president for STs Automotive and Discrete Group. "Vår tredje generasjons SiC-teknologi sikrer den største krafttettheten og energieffektiviteten, noe som resulterer i overlegen kjøretøyytelse, rekkevidde og ladetid."

Hyundai Motor Company har valgt STs ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3-baserte kraftmoduler for sin nåværende generasjons EV-plattform, kalt E-GMP. Spesielt skal modulene drive Kia EV6. "STs SiC MOSFET-baserte kraftmoduler er det riktige valget for våre traksjonsomformere, og muliggjør lengre rekkevidde," sier Sang-Cheol Shin, Inverter Engineering Design Team hos Hyundai Motor Group. "Samarbeidet mellom våre to selskaper har realisert et betydelig skritt mot mer bærekraftige elektriske kjøretøy, og utnyttet STs kontinuerlige teknologiske investering til å være den ledende halvlederaktøren i elektrifiseringsrevolusjonen."

ST har allerede levert STPOWER SiC-enheter til mer enn tre millioner masseproduserte personbiler over hele verden. Med det nylig annonserte fullt integrerte SiC-substratproduksjonsanlegget i Catania, som forventes å starte produksjon i 2023, beveger ST seg raskt for å støtte den raske markedsovergangen mot e-mobilitet.

STs 1200V ADP280120W3, ADP360120W3 og ADP480120W3(-L) moduler er allerede i full produksjon. 750V ACEPACK DRIVE ADP46075W3 og ADP61075W3 vil være i full produksjon innen mars 2023. De muliggjør en plug-and-play-løsning for trekkraftinvertere, kompatibel med direkte væskekjøling, og har en pin-fin-array for effektiv varmeavledning. Spesifisert opp til en maksimal overgangstemperatur på 175°C, gir de langvarige og pålitelige press-fit forbindelser og terninger sintret til underlaget for å sikre forlenget levetid i bilapplikasjoner. ST vil utvide produktporteføljen til å inkludere bipolare transistorer med isolert port (IGBT) og diodebaserte ACEPACK DRIVE-versjoner.

Modulene har aktiv metallloddet (AMB) substratteknologi, kjent for utmerket termisk effektivitet og mekanisk styrke, og monterer en dedikert NTC (negativ temperaturkoeffisient-termistor) for hvert substrat. De er også tilgjengelige med et utvalg av sveiset eller skrumontert samleskinne, noe som gir fleksibilitet til å møte ulike monteringskrav. Et alternativ med lang samleskinne utvider fleksibiliteten ytterligere ved å tillate valg av en Hall-sensor for å overvåke motorstrømmen.

Se relaterte varer:

ST skal bygge €730 millioner silisiumkarbidwaferfabrikk i Catania, Italia

ST samarbeider med Semikron for å integrere SiC-kraftteknologi i EV-drev

ST lanserer tredje generasjon STPOWER SiC MOSFET-er

Tags: STMicroelectronics SiC-kraft MOSFET

Besøk: www.st.com