Egenskaper til toppmoderne kommersielt tilgjengelige SiC- og GaN-krafttransistorer

Egenskaper til toppmoderne kommersielt tilgjengelige SiC- og GaN-krafttransistorer

Kilde node: 3062833

En teknisk artikkel med tittelen "Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial State-of-the-Art, Applications and Perspectives" ble publisert av forskere ved University of Padova.

Abstrakt:

"Vi presenterer en omfattende gjennomgang og utsikter over silisiumkarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN) transistorer tilgjengelig på markedet for nåværende og neste generasjons kraftelektronikk. Materialegenskaper og strukturelle forskjeller mellom GaN- og SiC-enheter blir først diskutert. Basert på analysen av forskjellige kommersielt tilgjengelige GaN- og SiC-krafttransistorer, beskriver vi det siste innen disse teknologiene, og fremhever de foretrukne effektkonverteringstopologiene og nøkkelegenskapene til hver teknologiske plattform. Nåværende og fremtidige bruksområder for GaN- og SiC-enheter blir også gjennomgått. Artikkelen rapporterer også om de viktigste pålitelighetsaspektene knyttet til begge teknologiene. For GaN HEMT-er er terskelspenningsstabilitet, dynamisk PÅ-motstand og sammenbruddsbegrensning beskrevet, mens for SiC MOSFET-er fokuserer analysen også på gateoksidfeil og kortslutningsrobusthet (SC). Til slutt gir vi en oversikt over perspektivet til slike materialer i ulike interessefelt. En indikasjon på mulige fremtidige forbedringer og utviklinger for begge teknologiene er tegnet. Kravene til hybridomformere, sammen med en nøye optimalisering av ytelsen og bruk av innovative optimaliseringsverktøy, er understreket.»

Finn det teknisk papir her. Publisert januar 2024.

M. Buffolo et al., "Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial State-of-the-Art, Applications and Perspectives," i IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2023.3346369.

Relatert Reading
Power Semiconductors: Et dypdykk i materialer, produksjon og virksomhet
Hvordan disse enhetene er laget og fungerer, utfordringer innen produksjon, relaterte oppstarter, samt årsakene til at så mye krefter og ressurser brukes på å utvikle nye materialer og nye prosesser.

Tidstempel:

Mer fra Semi -ingeniørfag