Infineon And Anker Open Joint Innovation Application Center i Shenzhen

Publisert av Platon

Følgere: 0

26 januar 2024

Infineon Technologies AG i München, Tyskland har annonsert sitt felles Innovation Application Center i Shenzhen med mobillading og forbrukerelektronikkproduktfirmaet Anker Innovations i Changsha, Hunan, Kina. Med senteret allerede i full drift, baner det vei for mer energieffektivt og CO2-sparende ladeløsninger som støtter dekarbonisering.

Drevet av den økende etterspørselen etter raskere ladeløsninger på grunn av økende bruk av mobile enheter, bærbare datamaskiner og andre batteridrevne enheter, går ideen om å etablere et Anker-Infineon Innovation Application Center tilbake til 2021. Etter to års forberedelse, joint lab fungerer nå som FoU-hub for bransjeeksperter for å utvikle hurtigladeløsninger for strømforsyning (PD) med høyere strømtetthet, hovedsakelig basert på Infineons neste generasjons Hybrid Flyback (HFB) kontrollere produktfamilie og CoolGaN IPS (integrert krafttrinn) ) for hurtigladere over 100W.

Anker har allerede brakt flere produkter på markedet, for eksempel hurtigladeren på 100W+ drevet av Infineons CoolGaN i 2022. Med Innovation Application Center har Anker og Infineon som mål å forkorte søknadssyklusen ytterligere og akselerere tiden til markedet for fremtidige produkter.

Næringsrepresentanter for Infineon og Anker samt prosjektledere ble med på å klippe båndet for det felles Innovasjonsapplikasjonssenteret.

Bilde: Næringsrepresentanter for Infineon og Anker samt prosjektledere ble med på seremonien for å klippe båndet for det felles Innovasjonsapplikasjonssenteret.

"Anker er en viktig kunde for Infineon," bemerker Christian Burrer, VP for system & application marketing for Infineons Power & Sensor Systems Division. "Vi har allerede startet et sterkt samarbeid på ladefeltet, med produkt- og systemløsninger som dekker flere Infineon-produktlinjer," legger han til. "Når det gjelder PD-lading, gir vi kundene våre en omfattende produktportefølje, inkludert toppmoderne strømkontrollere, førsteklasses bryterstrømforsyninger, ledende silisium MOSFET- og GaN-transistorytelse og mer."

Utover ladeløsninger, fokuserer felleslaboratoriet på et mer variert utvalg av forbrukerapplikasjoner, drevet av Infineons ekspertise innen materialer med brede båndgap som galliumnitrid (GaN). Infineon regner med at oppkjøpet av GaN Systems Inc i Ottawa, Ontario, Canada (en fabelløs utvikler av galliumnitrid-baserte kraftsvitsje-halvledere for kraftkonvertering og kontrollapplikasjoner) i slutten av oktober 2023 har betydelig akselerert GaN-veikartet og ytterligere styrker dets lederskap innen kraftsystemer gjennom ekspertise innen alle relevante krafthalvlederteknologier.

«I 2023 oppnådde Anker suksess i mange markeder som Kina og Europa. Dette hadde ikke vært mulig uten Infineons GaN-teknologiløsninger og det sterke samarbeidet mellom våre selskaper,” sier Kang Xiong, daglig leder for Ankers ladeforretningsenhet. "Vi ser frem til å til og med intensivere partnerskapet vårt med Infineon."

Se relaterte varer:

Infineon fullfører oppkjøpet av GaN Systems

Anker samarbeider med Infineon, Navitas, Innoscience og Southchip for å utvikle all-GaN hurtigladere

Tags: Infineon GaN HEMT

Besøk: www.anker.com

Besøk: www.infineon.com