Gate Drive Circuit uten en Speed-Up kondensator for en GaN Gate Injection Transistor

Gate Drive Circuit uten en Speed-Up kondensator for en GaN Gate Injection Transistor

Tidsstempel: 5. mai 2023 7:08
Kilde node: 2632994

En teknisk artikkel med tittelen "Gate Drive Circuit Suitable for a GaN Gate Injection Transistor" ble publisert av forskere ved Nagoya University.

Abstrakt
"En GaN gate injection transistor (GIT) har et stort potensial som en krafthalvlederenhet. Imidlertid har en GaN GIT en diodekarakteristikk ved portkilden, og en tilsvarende portdrivkrets er derfor nødvendig. Flere studier i litteraturen har foreslått gate-drivkretser med speed-up-kondensatorer, men å legge til disse kondensatorene kompliserer gate-drivkretsen, og øker både driv- og reversledningstapene. Dessuten blir det å drive en GaN GIT med slike gate-drivkretser mer utsatt for den falske innkoblingen. I denne artikkelen er det foreslått en portdrivkrets egnet for en GaN GIT uten en speed-up kondensator. Denne typen kan tilveiebringe høyhastighetssvitsjingen og vise lavt portdriftstap og reversert ledningstap. Den foreslåtte kretsen har også høy immunitet mot falsk innkobling og stabil gate-kildespenning før og etter oppstart. Drivtapet for den foreslåtte typen beregnes og gyldigheten bekreftes eksperimentelt. Videre sammenlignes drivtapet av den foreslåtte typen med konvensjonelle kretser. Resultatet viser at drivtapet for den foreslåtte typen er forbedret med opptil 50 % sammenlignet med den konvensjonelle typen. Til slutt blir den foreslåtte typen eksperimentelt testet for å drive en buck-omformer ved svitsjefrekvensen på 150 kHz. Hele tapet til omformeren kan reduseres med opptil 9.2 % ved 250 W, sammenlignet med den konvensjonelle typen.»

Finn det teknisk papir her. Publisert april 2023.

F. Hattori, Y. Yanagisawa, J. Imaoka og M. Yamamoto, "Gate Drive Circuit Suitable for a GaN Gate Injection Transistor," i IEEE Access, doi: 10.1109/ACCESS.2023.3270261.

Relatert Reading
GaN Power Devices: Problemer med stabilitet, pålitelighet og robusthet
Power Semiconductors: Et dypdykk i materialer, produksjon og virksomhet
Hvordan disse enhetene er laget og fungerer, utfordringer innen produksjon, relaterte oppstarter, samt årsakene til at så mye krefter og ressurser brukes på å utvikle nye materialer og nye prosesser.

Tidstempel:

Mer fra Semi -ingeniørfag