NEC ontwikkelt high-speed, high-capacity eindversterker voor netwerken van de volgende generatie

NEC ontwikkelt high-speed, high-capacity eindversterker voor netwerken van de volgende generatie

Tijdstempel: 19 januari 2023 1:56 uur
Bronknooppunt: 1907578

TOKYO, 19 jan. 2023 – (JCN Newswire) – NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) heeft een eindversterker ontwikkeld die zal dienen als een belangrijk apparaat voor mobiele toegang en draadloze fronthaul/backhaul-communicatieapparatuur om hoge snelheid, hoge -capaciteitscommunicatie voor 5G Advanced en 6G-netwerken. Deze eindversterker maakt gebruik van GaAs-technologie die in massa kan worden geproduceerd en heeft 's werelds hoogste uitgangsvermogen(*) van 10 mW bereikt in de 150 GHz-band. NEC profiteert hiervan en wil zowel de ontwikkeling van apparatuur als de sociale implementatie versnellen.

Nieuw ontwikkelde D-band eindversterker

5G Advanced en 6G zullen naar verwachting 100 Gbps-klasse high-speed communicatie met hoge capaciteit leveren, gelijk aan 10 keer de snelheid van de huidige 5G. Dit kan effectief worden bereikt door het gebruik van de subterahertz-band (100 tot 300 GHz), die een brede bandbreedte van 10 GHz of meer kan bieden. Met name wordt een vroege commercialisering van de D-band (130 tot 174.8 GHz), die internationaal is toegewezen voor vaste draadloze communicatie, verwacht.

NEC blijft vooruitgang boeken op het gebied van technologische ontwikkeling door gebruik te maken van haar kennis van hoogfrequente banden die is ontwikkeld door de ontwikkeling en werking van radioapparatuur voor 5G-basisstations en PASOLINK, een ultracompact microgolfcommunicatiesysteem dat basisstations via draadloze communicatie met elkaar verbindt.

De nieuw ontwikkelde eindversterker maakt gebruik van een in de handel verkrijgbaar 0.1 μm galliumarsenide (GaAs) pseudomorfe hoge-elektronenmobiliteitstransistor (pHEMT)-proces. Vergeleken met CMOS en siliciumgermanium (SiGe) die worden gebruikt voor de subterahertz-band, hebben GaAs pHEMT's een hoge bedrijfsspanning en lagere initiële kosten voor massaproductie.

Qua circuitontwerp elimineert deze eindversterker factoren die de prestaties in de hogefrequentieband verslechteren en maakt gebruik van een netwerkconfiguratie die overeenkomt met de impedantie die geschikt is voor een hoog uitgangsvermogen. Dit heeft geresulteerd in het bereiken van uitstekende hoogfrequente eigenschappen tussen 110 GHz en 150 GHz, evenals 's werelds hoogste uitgangsvermogen voor een GaAs pHEMT.

Naast de realisatie van hoogwaardige, goedkope radiocommunicatieapparatuur boven 100 GHz, zal deze eindversterker de sociale implementatie van 5G Advanced en 6G versnellen.

In de toekomst zal NEC doorgaan met het ontwikkelen van technologieën die gericht zijn op het bereiken van hoge snelheid, hoge capaciteit, kosteneffectieve draadloze communicatie voor 5G Advanced en 6G.

Dit onderzoek wordt ondersteund door het Ministerie van Binnenlandse Zaken en Communicatie in Japan (JPJ000254).

NEC zal meer details over deze technologie bekendmaken op de IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023), een internationale conferentie die gepland staat voor 22 januari 2023 in Las Vegas, Nevada, VS.

(*) Volgens onderzoek van NEC op 19 januari 2023.

Over NEC Corporation

NEC Corporation heeft zichzelf gevestigd als leider in de integratie van IT- en netwerktechnologieën en promoot tegelijkertijd het merkstatement 'Orchestrating a brighter world'. NEC stelt bedrijven en gemeenschappen in staat zich aan te passen aan snelle veranderingen die plaatsvinden in zowel de samenleving als de markt, omdat het voorziet in de sociale waarden van veiligheid, beveiliging, eerlijkheid en efficiëntie om een ​​duurzamere wereld te bevorderen waarin iedereen de kans krijgt om zijn volledige potentieel te bereiken. Ga voor meer informatie naar NEC op www.nec.com.

Tijdstempel:

Meer van JCN Nieuwsdraad