최첨단 상용 SiC 및 GaN 전력 트랜지스터의 특성

파도바 대학(University of Padova) 연구진은 "GaN 및 SiC 전력 장치에 대한 검토 및 전망: 산업 최첨단, 애플리케이션 및 관점"이라는 제목의 기술 논문을 발표했습니다.

요약 :

“우리는 현재 및 차세대 전력 전자 장치 시장에서 사용할 수 있는 탄화 규소(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 트랜지스터에 대한 포괄적인 검토와 전망을 제시합니다. GaN과 SiC 장치 간의 재료 특성과 구조적 차이점이 먼저 논의됩니다. 시중에서 판매되는 다양한 GaN 및 SiC 전력 트랜지스터 분석을 기반으로 이러한 기술의 최첨단을 설명하고 우선적인 전력 변환 토폴로지와 각 기술 플랫폼의 주요 특성을 강조합니다. GaN 및 SiC 장치의 현재 및 미래 응용 분야도 검토됩니다. 또한 이 기사에서는 두 기술과 관련된 주요 안정성 측면에 대해서도 설명합니다. GaN HEMT의 경우 임계 전압 안정성, 동적 ON 저항 및 항복 제한이 설명되는 반면, SiC MOSFET의 경우 분석은 게이트 산화물 오류 및 단락 회로(SC) 견고성에 중점을 둡니다. 마지막으로, 다양한 관심 분야에서 이러한 자료의 관점에 대한 개요를 제공합니다. 두 기술 모두에 대한 가능한 향후 개선 및 개발에 대한 표시가 그려져 있습니다. 신중한 성능 최적화 및 혁신적인 최적화 도구 사용과 함께 하이브리드 컨버터에 대한 요구 사항이 강조됩니다.”

찾기 여기에 기술 문서가 있습니다. 2024년 XNUMX월 출판.

M. Buffolo 등, "GaN 및 SiC 전력 장치에 대한 검토 및 전망: 산업 최첨단, 애플리케이션 및 관점", IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2023.3346369.

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• 출처: https://semiengineering.com/properties-of-the-state-of-the-art-commercially-available-sic-and-gan-power-transistors/