Porotech와 Powerchip, 디스플레이용 200mm GaN-on-Si 마이크로 LED 대량 생산 협력

Porotech와 Powerchip, 디스플레이용 200mm GaN-on-Si 마이크로 LED 대량 생산 협력

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1월 23 2024

팹리스 마이크로 LED 회사인 Poro Technologies Ltd(다공성 GaN 재료를 개발하고 대만 신주에 R&D 센터를 두고 있는 영국 캠브리지 대학의 질화 갈륨 캠브리지 센터에서 분사) 및 대만 기반 파운드리 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp (PSMC)는 디스플레이 애플리케이션용 마이크로 LED 분야에서 전략적 파트너십을 발표했습니다.

이번 파트너십을 통해 소비자 애플리케이션을 위한 고수율 제조를 통해 디스플레이용 밝고 픽셀 밀도가 높고 소형이며 저비용인 마이크로 LED의 생산을 가속화할 것입니다. PSMC의 반도체 프론트엔드 웨이퍼 제조 파운드리 독점 기술과 포로텍의 PoroGaN 마이크로 LED 온 실리콘(μLEDoS), 다이나믹 픽셀 튜닝(DPT), GaN 온 실리콘 플랫폼 기술이 결합되어 마이크로 LED 디스플레이의 상용화를 목표로 하고 있습니다.

반도체 환경에서 픽셀화를 위한 포로텍의 마이크로 LED-온-실리콘을 대량 생산하는 것은 소비자 애플리케이션용 디스플레이 상용화에서 한 발 앞서 있는 것입니다. PSMC의 전공정 반도체 파운드리 강점은 양산 단계에서도 기여할 것으로 예상된다.

반도체 제조 기술을 위한 마이크로 LED-온-실리콘은 제품 성능, 대량 및 저비용 디스플레이 애플리케이션을 위한 제조 정밀도를 활용할 것으로 예상됩니다.

Porotech의 CEO이자 설립자인 Tongtong Zhu 박사는 “PSMC와의 협력은 디스플레이 애플리케이션을 위한 마이크로 LED-온-실리콘 기술의 대량 생산을 위한 획기적인 진전을 의미합니다.”라고 말합니다. "PSMC 앞에는 상호 파트너 및 고객과 함께 엄청난 상용화 기회를 추진하는 흥미로운 길이 놓여 있습니다."

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태그 : 질화 갈륨 캠브리지 센터 마이크로 LED

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