APEC에서 GaN 및 SiC 애플리케이션을 강조하는 Navitas

플라톤에 의해 재발행

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2 2월 2024

미국 캘리포니아주 롱비치 컨벤션 & 엔터테인먼트 센터(1353월 2024~26일)에서 열린 Applied Power Electronics Conference(APEC 29)의 'Planet Navitas' 부스 #6에는 질화갈륨(GaN) 전력 IC 및 실리콘이 전시되어 있습니다. 미국 캘리포니아주 토런스에 위치한 초경(SiC) 기술 회사 Navitas Semiconductor Corp는 GaN 및 SiC 기술이 어떻게 완전 전기화된 주택, 운송 및 산업을 위한 최신 솔루션을 구현하는지 강조합니다. 예를 들면 TV 전원부터 가전제품 모터 및 압축기, 전기 자동차(EV) 충전, 태양광/마이크로 그리드 설치, 데이터 센터 전원 시스템에 이르기까지 다양합니다. 각각은 향상된 휴대성, 더 긴 범위, 더 빠른 충전, 그리드 독립성과 같은 최종 사용자 이점을 강조하고 저탄소 발자국 GaN 및 SiC 기술이 어떻게 연간 XNUMXGtons 이상의 CO를 절약할 수 있는지에 중점을 둡니다.2 2050에 의해.

최고 운영 책임자(COO)/최고 기술 책임자(CTO) 겸 공동 창업자인 Dan Kinzer는 “포괄적인 애플리케이션별 시스템 설계 지원을 갖춘 보완적인 GaNFast 및 GeneSiC 포트폴리오는 지속 가능한 성능 이점으로 고객의 출시 시간을 가속화합니다.”라고 말했습니다. "'Planet Navitas'는 연간 22억 달러 규모의 광대한 시장 기회 전반에 걸쳐 GaN 및 SiC의 매우 현실적이고 고무적인 구현을 나타냅니다."

주요 기술 업데이트 및 릴리스에는 GaNSafe(세계에서 가장 보호 수준이 높고 신뢰성이 가장 높으며 최고 성능의 GaN 전력으로 알려져 있음), Gen-4 GaNSense 하프 브리지 IC(가장 통합된 GaN 장치), Gen-3 Fast SiC 전력이 포함됩니다. FET(고전력 성능용) 및 양방향 GaN(모터 구동 및 에너지 저장 애플리케이션용).

APEC에서 Navitas의 기술 프레젠테이션

27 2월

오전 8시 55분(IS05.2), Alfred Hesener(산업 및 소비자 부문 수석 이사)의 '모터 드라이브 애플리케이션에서 GaN HEMT를 사용한 시스템 비용 절감';
오전 10시 40분(PSTT02.6), Bin Li(애플리케이션 디렉터)가 작성한 '평면 변압기 및 하프 브리지 GaN IC가 통합된 고밀도 400W DC/DC 전력 모듈';
오전 11시 40분(PSTT01.9), Xiucheng Huang(수석 이사)의 'GaN 기반 다중 출력 플라이백 컨버터의 평면 변압기 권선 손실 최적화 방법';
오후 3시 45분(위치: 101B), Dan Kinzer의 '차세대 GaNFast 및 GeneSiC Power를 사용한 '우리 세상을 전기화하세요'' 전시업체 프레젠테이션.

29 2월

오전 8시 30분~11시 20분(IS19), '전력 모듈의 SiC 및 패키지 혁신', 세션 의장 Stephen Oliver(기업 마케팅 및 IR 부사장);
오전 8시 55분(PSTIS21.2), Tom Ribarich(전략 마케팅 수석 이사)의 'GaN 하프 브리지 전력 IC 및 AHB/토템폴 토폴로지로 240W, 150cc, PD3.1 솔루션을 95.5% 효율로 구현';
오후 1시 30분~3시 10분(IS27), '전력 전자공학을 위한 새로운 애플리케이션', 세션 의장 Llew Vaughan-Edmunds(수석 이사 GeneSiC);
오후 2시 20분(IS27-3), Stephen Oliver 및 Llew Vaughan-Edmunds의 'EV 장거리 트럭 운송에서 메가와트 충전에 최적화된 고전압 SiC'.