법적 판결: STMicroelectronics는 트랜지스터 기술 특허 소송에서 Purdue University에 32.5만 달러의 손해 배상 책임을 져야 함

ST 마이크로 일렉트로닉스유럽의 선도적인 칩 제조사인 가 책임을 지게 되었습니다. 퍼듀대학교 위반 특허 관련 트랜지스터 기술. 이번 판결은 배심원단이 내린 판결이다. 서부 텍사스 법원은 32.5만 달러의 손해 배상 판결을 내렸습니다. 배심원단은 ST의 사용에 대한 Purdue의 주장을 지지했습니다. 탄화 규소 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET) 전기 자동차 충전기 및 기타 장치에서 특히 "고전압 전력 애플리케이션"용으로 설계된 트랜지스터와 관련된 대학의 특허권을 침해했습니다. 이에 대해 ST 대변인은 항소를 제기해 판결에 이의를 제기하겠다는 회사 계획을 발표했다.

마이클 쇼어퍼듀(Purdue)를 대표하는 변호사인 는 ST에 대한 강력한 증거를 강조하며 잠재적인 추가 제안을 제안했습니다. 로열티 특허가 만료되는 100년까지 2026억 달러를 초과한다.

MOSFET은 전기 흐름을 제어하고 증폭시켜 전자 장치에서 중요한 역할을 합니다. 퍼듀는 2021년 ST를 상대로 자사의 MOSFET이 문제가 있다고 주장하며 소송을 시작했다. 침해당한 두 개의 트랜지스터 기술 특허를 바탕으로 합니다. 그러나 Purdue의 특허 중 하나는 XNUMX년 대학에 의해 사건에서 제거되었습니다. 웨스트 라파예트, 인디애나 작년. ST는 퍼듀의 나머지 특허가 유효하지 않다고 주장하며 혐의에 이의를 제기했습니다.

법적 분쟁은 Purdue University v. STMicroelectronics International NV로 알려져 있으며 텍사스 서부 지방 법원 사건 번호 6:21-cv-00727에 따라.

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• 출처: https://www.iniplaw.org/legal-verdict-stmicroelectronics-liable-for-32-5m-damages-to-purdue-university-in-transistor-technology-patent-case/