뉴스 : 마이크로
24 월 2023
Cambridge GaN Devices Ltd(CGD)는 2016년 케임브리지 대학교 공과대학의 전력 및 에너지 변환 그룹에서 분사하여 GaN-on-silicon 기판을 사용하는 전력 트랜지스터 및 IC를 설계, 개발 및 상용화하는 회사입니다. 설계자가 PCB를 다시 레이아웃할 필요 없이 경쟁 MOSFET 또는 GaN 장치 대신 기존 회로에서 ICeGaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 시험해 볼 수 있는 다양한 애플리케이션 인터페이스 보드입니다.
애플리케이션 인터페이스 보드는 ICeGaN 장치에 납땜된 어댑터 PCB로, ICeGaN HEMT 설치 공간의 각 핀/신호를 대체 구성 요소 설치 공간의 해당 핀/신호에 매핑합니다.
“이러한 애플리케이션 인터페이스 보드는 물론 설계 및 평가 목적으로만 설계되었습니다. 이는 사용자가 ICeGaN IC 중 하나를 기존 설계에 적용할 수 있는 빠른 첫 번째 단계입니다.”라고 애플리케이션 엔지니어링 이사인 Peter Comiskey는 말합니다. "열 성능에는 약간의 영향이 있지만 EMC나 전기 성능에는 놀라울 정도로 차이가 거의 없습니다."
CGD는 주요 MOSFET 및 GaN 장치 제조업체의 다양한 산업 표준 장치용 애플리케이션 인터페이스 보드를 제공합니다. 전체 목록은 다음에서 확인할 수 있습니다. 사용자 가이드그러나 회사는 현재 지원되지 않는 장치에 대한 애플리케이션 인터페이스 보드를 개발하여 4주 이내에 배송할 수도 있습니다.
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- 출처: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/cgd-240523.shtml
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