法的判決：STMicroelectronics、トランジスタ技術特許訴訟でパデュー大学に32.5万ドルの損害賠償責任を負う

STマイクロエレクト​​ロニクス欧州の大手チップメーカーである同社が責任を問われている。 パデュー大学の規定に違反する 特許 に関する トランジスタ テクノロジー。 この判決は陪審員によって下されたもので、 ウエストテキサス州 裁判所は、32.5万ドルの損害賠償判決を下した。 陪審は、ST が 炭化ケイ素 金属酸化物 半導体 電界効果トランジスタ (MOSFET) 電気自動車の充電器やその他の機器に含まれる特許は、特に「高電圧電力用途」向けに設計されたトランジスタに関連する大学の特許権を侵害した。 これに応じて、STの広報担当者は、控訴を提出して評決に異議を唱える同社の計画を発表した。

マイケル・ショア、パーデュー市の代理人弁護士は、STに対する説得力のある証拠を強調し、追加の可能性を示唆した 印税 100年の特許期限切れまでに2026億ドルを超える。

MOSFET は、電気の流れを制御および増幅することにより、電子デバイスにおいて重要な役割を果たします。 パーデュー州は2021年にSTに対して訴訟を起こし、同社のMOSFETは 侵害された 同社のトランジスタ技術特許のうち XNUMX 件に基づくものです。 しかし、パデュー大学の特許のうちの XNUMX つは、XNUMX 年に大学によって訴訟から削除された。 ウェストラファイエット、インディアナ州 去年。 STはこの告発に異議を唱え、残りのパーデュー特許は無効であると主張した。

この法的紛争はパデュー大学対 STマイクロエレクトロニクス インターナショナル NV として知られており、 テキサス州西部地区連邦地方裁判所 ケース番号 6:21-cv-00727 に基づきます。

評決

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• 情報源： https://www.iniplaw.org/legal-verdict-stmicroelectronics-liable-for-32-5m-damages-to-purdue-university-in-transistor-technology-patent-case/