Fu、L.、Kane、CL、Mele、EJ XNUMX 次元のトポロジカル絶縁体。 Phys。 牧師レット。 98、106803（2007）
Son、YW、Choi、SM、Hong、YP、Woo、S. & Jhi、SH 滑り二層グラフェンにおける電子トポロジカル遷移。 物理学 Rev. B 84、155410（2011）
Ju、L。etal。 二層グラフェン磁壁でのトポロジー的谷輸送 自然 520、650 –655（2015）
Hsu、YF & Guo、GY AA 積層二層グラフェンにおける異常な整数量子ホール効果。 物理学 Rev. B 82、165404（2010）
Zhang、F.、MacDonald、AH & Mele、EJ Valley ギャップのある二層グラフェンのチャーン数と境界モード。 手順 Natl Acad サイ。 米国 110、10546 –10551（2013）
Huang、S. et al。 最小にねじれた二層グラフェンにおけるトポロジー的に保護されたらせん状態 Phys。 牧師レット。 121、037702（2018）
リー、J.ら。 二層グラフェンのゲート制御トポロジカル伝導チャネル。 Nat。 ナノテク。 11、1060 –1065（2016）
チェン、XD 他。 高精度にねじれ制御された二層および三層グラフェン。 前売 母校。 28、2563 –2570（2016）
ニューメキシコ州キャフリーら。 SiC(0001) 上の Li 挿入グラフェンの構造的および電子的特性。 物理学 Rev. B 93、195421（2016）
Dresselhaus, MS & Dresselhaus, G. グラファイトの層間化合物。 アドバンス物理学 30、139 –326（1981）
Lorenzo, M.、Escher, C.、Latychevskaia, T. & Fink, HW 低エネルギー電子点源顕微鏡による自立グラフェン上の金属の吸着と核生成。 ナノレット。 18、3421 –3427（2018）
ワン、W.ら。 複数の電子源を備えた、収差補正された超高速スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の設計と試運転。 超顕微鏡 174、89 –96（2017）
まず、PN ら。 炭化ケイ素上のエピタキシャルグラフェン。 MRS Bull。 35、296 –305（2010）
日比野 博、水野 慎、影島 英、長瀬 正、山口 博。SiC(0001) 上にエピタキシャル数層グラフェンのドメインを積層。 物理学 Rev. B 80、085406（2009）
デ・ヨング、TA 他炭化ケイ素上のグラフェンの固有の積層ドメイン: インターカレーションの経路。 物理学マーター牧師。 2、104005（2018）
Chung, W. & Altman, M. 低エネルギー電子顕微鏡におけるステップ コントラスト。 超顕微鏡 74、237 –246（1998）
Mathieu, C. et al. SiC (0001) 上のエピタキシャル グラフェンの局所特性に対する酸素吸着の影響。 物理学 Rev. B 86、035435（2012）
オールデン、JSら。 二層グラフェンのひずみソリトンとトポロジー欠陥 手順 Natl Acad サイ。 米国 110、11256 –11260（2013）
Butz、B. et al。 二層グラフェンの転位。 自然 505、533 –537（2014）
リン、J.ら。 二層グラフェンのAC/AB積層境界。 ナノレット。 13、3262 –3268（2013）
Virojanadara, C.、Watcharinyanon, S.、Zakharov, AA & Johansson, LI 6H-SiC および Li インターカレーション上のエピタキシャル グラフェン。 物理学 Rev. B 82、205402（2010）
Gadelha、AC et al. 低角度ねじれ二層グラフェンにおける格子ダイナミクスの局在化。 自然 590、405 –409（2021）
ハル D. & ベーコン DJ 転位の概要 巻。 37 (エルゼビア、2011 年)。
Yang, H.、Kim, S.、Chowalla, M. & Lee, Y. ファンデルワールス層状材料における構造相転移と量子状態相転移。 Nat。 Phys。 13、931 –937（2017）
Xi, X.、Ma, J.、Wan, S.、Dong, C.、Sun, X. ギャップのあるナノメカニカルグラフェンにおけるキラルエッジ状態の観察。 サイエンス。 前売 7、eabe1398（2021）。
Yao, W.、Yang, SA & Niu, Q. グラフェンのエッジ状態: ギャップのあるフラットバンドからギャップのないキラル モードまで。 Phys。 牧師レット。 102、096801（2009）
Wang, C., Gao, Y., Lv, H., Xu, X. & Xiao, D. ツイスト ファン デル ワールス磁石における磁壁マグノンの積層。 Phys。 牧師レット。 125、247201（2020）
Tong, Q.、Liu, F.、Xiao, J. & Yao, W. ファンデルワールス 2D 磁石のモアレにおけるスキルミオン。 ナノレット。 18、7194 –7199（2008）
Amelinckx, S. & Delavignette, P. 非金属層構造における転位の観察。 自然 185、603 –604（1960）
Zhou、J.ら。 層状のインターカレーション素材。 前売 母校。 33、2004557（2021）
Wang、H.ら。 垂直配向 MoS の電気化学的調整2 ナノフィルムと水素発生反応の改善におけるその応用。 手順 Natl Acad サイ。 米国 110、19701 –19706（2013）
クワベナ・ベディアコ、D. 他ファンデルワールスヘテロ構造の電気インターカレーションにおけるヘテロ界面効果。 自然 558、425 –429（2018）
フランク・チャオ、S. 他グラフェン/h-BN ファンデルワールスヘテロ構造の制御された電気化学的インターカレーション。 ナノレット。 18、460 –466（2018）
Delavignette, P. & Amelinckx, S. グラファイトの転位パターン。 Ｊ．Ｎｕｃｌ． メーター。 5、17 –66（1962）
Williamson, GK グラファイトの転位構造の電子顕微鏡研究。 手順R.Soc。 ロンド。 A 257、457 –463（1960）
日比野 宏 ほか低エネルギー電子の反射率の量子化振動からSiC上に形成されたグラファイト薄膜の顕微鏡的な厚さの測定。 物理学 Rev. B 77、075413（2008）
Fiori, S. et al. SiC(0001) 上の Li 挿入グラフェン: STM 研究。 物理学 Rev. B 96、125429（2017）
Kresse、G。＆Furthmüller、J。平面波基底関数系を使用した金属および半導体のab-initio全エネルギー計算の効率。 コンプ。 メートル。 科学。 6、15 –50（1996）
Kresse、G。＆Furthmüller、J。平面波基底関数系を使用したabinitio全エネルギー計算のための効率的な反復スキーム。 物理学 Rev. B 54、11169（1996）
Perdew、JP、Burke、K。＆Ernzerhof、M。一般化された勾配近似が簡単になりました。 Phys。 牧師レット。 77、3865 –3868（1996）
Blöchl、PEプロジェクターの拡張波法。 物理学 Rev. B 50、17953（1994）
Grimme、S.、Antony、J.、Ehrlich、S。＆Krieg、H。94要素H–Puの密度汎関数分散補正（DFT-D）の一貫した正確なabinitioパラメーター化。 J. Chem。 Phys。 132、154104（2010）
Plimpton、S.短距離分子動力学のための高速並列アルゴリズム。 J.計算。 物理学 117、1 –19（1995）
Raju, M.、Ganesh, P.、Kent, PR & van Duin, AC 電気エネルギー貯蔵用の Li/C システムの反力場の研究。 J.Chem。 理論計算。 11、2156 –2166（2015）
遠藤 祐介 他 論文の基礎となるデータ: グラフェン内のリチウムインターカレーションによって駆動される動的トポロジカルドメインウォール (サイエンスDB、2023); https://doi.org/10.57760/sciencedb.07810
- SEO を活用したコンテンツと PR 配信。 今日増幅されます。
- PlatoData.Network 垂直生成 Ai。 自分自身に力を与えましょう。 こちらからアクセスしてください。
- プラトアイストリーム。 Web3 インテリジェンス。 知識増幅。 こちらからアクセスしてください。
- プラトンESG。 自動車/EV、 カーボン、 クリーンテック、 エネルギー、 環境、 太陽、 廃棄物管理。 こちらからアクセスしてください。
- ブロックオフセット。 環境オフセット所有権の近代化。 こちらからアクセスしてください。
- 情報源： https://www.nature.com/articles/s41565-023-01463-7
- ][p
- 1
- 10
- 102
- 11
- 12
- 13
- 14
- 視聴者の３８%が
- 16
- 17
- 19
- 1994
- 1996
- 1998
- 20
- 2008
- 2011
- 2012
- 2013
- 2014
- 2015
- 2016
- 2017
- 2018
- 2020
- 2021
- 2023
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 2D
- 30
- 31
- 32
- 33
- 36
- 39
- 40
- 50
- 7
- 75
- 77
- 8
- 80
- 84
- 9
- 98
- a
- 正確な
- AL
- アルゴリズム
- 整列した
- an
- および
- 申し込み
- 記事
- At
- b
- 基礎
- 境界
- ブル
- by
- チャンネル
- クリック
- 導電性
- 整合性のある
- コントラスト
- 制御
- 密度
- 設計
- 決定
- 大きさ
- 転位
- 分散系
- ドメイン
- ドメイン
- ドリブン
- ダイナミック
- ダイナミクス
- e
- E＆T
- エッジ（Edge）
- 効果
- 効果
- 効率
- 効率的な
- エレクトロニック
- 電子
- 要素は
- エネルギー
- エーテル（ETH）
- 進化
- スピーディー
- フィールド
- 強
- 形成
- から
- 機能的な
- GAO
- でログイン
- グラフェン
- ホール
- ホン
- HTTP
- HTTPS
- 水素化
- i
- 改善
- in
- 本質的な
- ITS
- キム
- 層
- 階層化
- リー
- li
- LINK
- リチウム
- ローカル
- ローカライゼーション
- ロー
- 製
- マグネット
- 材料
- 金属
- 金属
- 方法
- 顕微鏡
- 顕微鏡検査
- モード
- 分子の
- の試合に
- ナノテクノロジー
- 自然
- 番号
- of
- on
- 酸素
- 紙素材
- 並列シミュレーションの設定
- 経路
- パターン
- 相
- プラトン
- プラトンデータインテリジェンス
- プラトデータ
- ポイント
- プロパティ
- 保護された
- 量子
- R
- 反応
- s
- スキーム
- SCI
- 半導体関連装置
- セッションに
- シリコン
- 炭化ケイ素
- 簡単な拡張で
- スライディング
- ソース
- ソース
- スタッキング
- 米国
- 手順
- ストレージ利用料
- 構造の
- 研究
- 勉強
- 日
- システム
- T
- 理論
- 三
- 〜へ
- トータル
- 遷移
- 遷移
- 輸送
- 根本的な
- 谷
- 垂直に
- W
- 壁
- ウー
- X
- ゼファーネット
- 趙
