ニュース: マイクロエレクトロニクス
25 年 1 月 2024 日
ドイツ、ミュンヘンのインフィニオン テクノロジーズ AG は、同社の 1200V CoolSiC MOSFET パワー半導体デバイスを、EiceDRIVER コンパクト 1200V シングルチャネル絶縁ゲート ドライブ IC と組み合わせて、中国深センの Sinexcel Electric Co Ltd (プロバイダー) に提供する提携を発表しました。エネルギー貯蔵システムの効率をさらに向上させるためのコア電力機器とエネルギーインターネット向けソリューションの開発。
カーボンピーキングとカーボンニュートラル戦略、そして新しいエネルギーの波によって、国内のエネルギー貯蔵市場は近年、持続的かつ急速な発展を維持しています。中国工業情報化省によると、2023年上半期に新たに設置されたエネルギー貯蔵容量は8.63GWhに達し、これは前年の総設置容量に相当する。エネルギー貯蔵システムの効率と電力密度は製品競争力の重要な要素である一方、エネルギー貯蔵システムのサイズ、重量、コストはエネルギー変換効率と密接に関係しており、製品コストに直接影響するとインフィニオンは指摘しています。したがって、パワー半導体コンポーネントは重要な役割を果たします。
「SiC 電源ソリューションは、将来のグリーン エネルギーの生産および貯蔵アプリケーションにとって重要なコンポーネントです」と、インフィニオン テクノロジーズの上級副社長で中華圏のグリーン産業電力部門の責任者である Yu Daihui 氏は述べています。 「エネルギー貯蔵インバータの分野におけるインフィニオンのSinexcelとの協力により、エネルギー貯蔵システムは高効率、小型、軽量などの利点を実現でき、高信頼性と高性能のエネルギー貯蔵システムに対する確かな保証が提供されます。」と彼は付け加えました。
「インフィニオンのSiCデバイスを使用することにより、Sinexcelのエネルギー貯蔵製品は明らかによりコンパクトで柔軟になり、効率が大幅に向上し、損失が低下するため、システムの放熱コストが削減され、製品の長期的な効率的かつ安定した動作に役立ちます。エンドユーザーの運用の安定性を向上させ、投資回収サイクルを短縮するのに役立ちます」と Sinexcel の副ゼネラルマネージャー、Wei Xiaoliang 氏は述べています。 「これにより、当社製品のシステム競争力が大幅に向上し、当社のエネルギー貯蔵製品に対する顧客の信頼とSinexcelのブランド認知度が高まります。」
インフィニオンによると、同社の1200V CoolSiC MOSFETは電力密度が高いため、バッテリのサイズを大きくすることなく損失を50%削減し、最大2%の追加エネルギーを供給できるため、高性能、軽量、コンパクトなエネルギー貯蔵ソリューションにとって特に有益であるという。 1200V CoolSiC MOSFETとEiceDRIVERコンパクト1200Vシングルチャンネル絶縁ゲートドライブICを使用することにより、Sinexcelのエネルギー貯蔵コンバータは、高い電力密度、最小限の電磁放射と干渉、高い保護性能と高い信頼性を実現するとインフィニオンは主張しています。これにより、業界をリードする最大 98% のシステム効率 (従来のソリューションよりも 1% 高いと考えられています) が可能になり、国内および海外市場のオングリッドおよびオフグリッドのエネルギー貯蔵アプリケーションのニーズをより適切に満たすことができます。
インフィニオン、InfypowerのEV充電ステーションに1200V CoolSiC MOSFETを提供
インフィニオン、1V SiC MOSFETでCoolSiC M1200H技術ポートフォリオを拡張
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- 情報源: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/jan/infineon-250124.shtml
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