Taiyo Nippon Sanso משיקה מערכת UR26K-CCD MOCVD לייצור המוני GaN

הועלה מחדש על ידי אפלטון

עוקב: 0

12 יולי 2023

Taiyo Nippon Sanso Corp (TNSC) מטוקיו, יפן השיקה את מערכת UR26K-CCD מתכת-אורגני כימי שקע אדים (MOCVD) לייצור המוני של גליום ניטריד (GaN).
כדגם הדגל של MOCVD בקנה מידה ייצור, עם טיפול אוטומטי לחלוטין של ניקוי פרוסות וחלקים, מעריכים שה-UR26K-CCD יכול להגביר את יעילות הייצור בכ-2 בהשוואה למערכות קונבנציונליות.

מערכת ה-UR26K-CCD MOCVD החדשה של Taiyo Nippon Sanso.

תמונה: מערכת ה-UR26K-CCD MOCVD החדשה של Taiyo Nippon Sanso.

בהשוואה למערכת הקיימת UR26K הייצור המסחרי GaN MOCVD, כדי להגביר את הפרודוקטיביות, ה-UR26K-CCD החדש הוא דגם משופר המציע מנגנון העברה אוטומטי משודרג 'Cassette-to-Cassette Wafer Handling System' ו'מערכת ניקוי יבש משולבת' עבור יבש -ניקוי חלקי כור.

תכונות אלו מאפשרות העברה אוטומטית לחלוטין של פרוסות בתוך היחידה. בנוסף, מכיוון שהחלקים המשומשים בתוך הכור מועברים בתוך המערכת על ידי רובוט ההעברה לתא הניקוי היבש המותקן בנפרד ומוחזרים לכור לאחר הניקוי, כל תהליך הגידול האפיטקסיאלי מטופל עם חלקים נקיים. מחזור אוטומטי זה מבטל את הצורך להפסיק את פעולת תא הגידול לתהליך הניקוי, מה שמגביר את יעילות הייצור בכפי 2 בהשוואה למערכת קונבנציונלית.

גידול פרוסות GaN על סיליקון יכול להוות אתגרים משמעותיים להשגת תוצאות הניתנות לשחזור, קושי המיוחס לזיהום פרוסות עקב חומר זר והתעוותות של פרוסות. שילוב יחידת הניקוי ושמירה על עקביות סביבת הכור אמורים להביא לשיפור יכולת השחזור ויחסי תפוקה גבוהים יותר, כלומר עלות כוללת נמוכה יותר של בעלות, אומר Taiyo Nippon Sanso.

מתאים לגדלים של פרוסות בגודל 10×6 אינץ' או 6×8 אינץ', תצורת הכור (הפנים כלפי מעלה, סיבוב והפיכה) זהה ל-UR26K הרגיל, שמשתמש בשלושה חרירי גז אופקיים בזרימה למינרית, מנגנון סיבוב רקיק מונע על ידי הילוך. , ומחמם התנגדות 6 אזורים לצמיחת סרט אחידה. המקורות כוללים TMGa, TEGa, TMAl, TMin, NH3, Cp2Mg, ו-SiH4. לחץ הצמיחה הוא 13-100kPa. היישומים כוללים התקני חשמל, התקנים בתדר גבוה ונוריות מיקרו-LED.

ראה פריטים קשורים:

Nippon Sanso ו-NCSU משתפים פעולה ב-Gan epitaxy וטכנולוגיית מכשירים

תגיות: טאייו ניפון סנסו

בקרו באתר: www.tn-sanso.co.jp/en