Navitas מדגישה יישומי GaN ו-SiC ב-APEC

הועלה מחדש על ידי אפלטון

עוקב: 0

2 פבואר 2024

בדוכן 'Planet Navitas' מס' 1353 בכנס Power Electronics Applied (APEC 2024) במרכז הכנסים והבידור בלונג ביץ', לונג ביץ', קליפורניה, ארה"ב (26-29 בפברואר), גליום ניטריד (GaN) כוח IC וסיליקון חברת הטכנולוגיה של קרביד (SiC) Navitas Semiconductor Corp מטורנס, קליפורניה, ארה"ב מדגישה כיצד טכנולוגיית GaN ו-SiC מאפשרת את הפתרונות העדכניים ביותר עבור דיור, תחבורה ותעשייה מחושמל לחלוטין. הדוגמאות נעות מכוח טלוויזיה ועד למנועים ומדחסים של מכשירי חשמל ביתיים, טעינת רכב חשמלי (EV), התקנות סולאריות/מיקרו-רשתות ומערכות חשמל במרכזי נתונים. כל אחד מהם מדגיש את היתרונות של משתמש הקצה, כגון ניידות מוגברת, טווח ארוך יותר, טעינה מהירה יותר ועצמאות רשת, בתוספת התמקדות כיצד טכנולוגיית GaN ו-SiC בעלת טביעת רגל נמוכה של פחמן יכולות לחסוך מעל 6Gtons/שנה CO2 על ידי 2050.

"פורטפוליו המשלימים של GaNFast ו- GeneSiC, עם תמיכה מקיפה בתכנון מערכת ספציפית לאפליקציה, מאיץ את זמן היציאה לשוק של הלקוח עם יתרונות ביצועים ברי קיימא", אומר מנהל התפעול/מנהל הטכנולוגיה הראשי ומייסד שותף דן קינזר. "'Planet Navitas' מייצג את ההטמעה האמיתית ומעוררת ההשראה של GaN ו-SiC על פני הזדמנות השוק העצומה של 22 מיליארד דולר לשנה."

עדכוני טכנולוגיה עיקריים ומהדורות כוללות את GaNSafe (לטענתה היא כוח GaN המוגן ביותר, המהימן והביצועים הגבוה ביותר בעולם), Gen-4 GaNSense Half-Bridge ICs (התקני GaN המשולבים ביותר), Gen-3 Fast SiC FETs (לביצועים בהספק גבוה), ו-GaN דו-כיווני (עבור יישומי הנעה מנוע ואחסון אנרגיה).

מצגות טכניות של Navitas ב-APEC

27 פבואר

8:55 בבוקר (IS05.2), 'הפחתת עלויות המערכת עם GaN HEMTs ביישומי כונן מוטורי' מאת אלפרד הסנר (מנהל בכיר תעשייתי וצרכנות);
10:40 בבוקר (PSTT02.6), 'מודול כוח DC/DC בצפיפות גבוהה של 400W עם שנאי מישור משולב ו-Half Bridge GaN IC' מאת Bin Li (במאי יישומים);
11:40 בבוקר (PSTT01.9), 'שיטת אופטימיזציה להפסדי פיתול של שנאי מישוריים בממיר ריבוי פלט Flyback מבוסס GaN' מאת Xiucheng Huang (במאי בכיר);
3:45 (מיקום: 101B), מצגת ''חשמל את עולמנו' עם הדור הבא של GaNFast ו- GeneSiC Power', מאת דן קינזר.

29 פבואר

8:30–11:20 בבוקר (IS19), 'חידושי SiC וחבילות במודולי כוח', יו"ר הישיבה סטיבן אוליבר (סמנכ"ל שיווק תאגידי וIR);
8:55 בבוקר (PSTIS21.2), 'GaN Half-Bridge Power IC ו-AHB/Totem-Pole Topologies מאפשרות 240W, 150cc, PD3.1 פתרון עם 95.5% יעילות' מאת טום ריבאריץ' (מנהל בכיר בשיווק אסטרטגי);
1:30–3:10 (IS27), 'יישומים מתעוררים עבור Power Electronics', יו"ר המושב Llew Vaughan-Edmunds (מנהל בכיר GeneSiC);
2:20 (IS27-3), 'SiC במתח גבוה מותאם לטעינת מגוואט בהובלות EV ארוכות טווח' מאת סטיבן אוליבר ו-Llew Vaughan-Edmunds.