ST aumenta le prestazioni dei veicoli elettrici e l'autonomia con i nuovi moduli di potenza in carburo di silicio

ST aumenta le prestazioni dei veicoli elettrici e l'autonomia con i nuovi moduli di potenza in carburo di silicio

Timestamp: 12 dicembre 2022 10:56
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News: Microelectronics

12 Dicembre 2022

STMicroelectronics di Ginevra, Svizzera, ha rilasciato nuovi moduli in carburo di silicio (SiC) ad alta potenza per veicoli elettrici (EV) che aumentano le prestazioni e l'autonomia di guida. Attualmente in produzione, i moduli ACEPACK DRIVE sono stati selezionati per la piattaforma di veicoli elettrici E-GMP di Hyundai (condivisa dalla Kia EV6 e da diversi modelli).

Cinque nuovi moduli di potenza basati su MOSFET SiC offrono scelte flessibili per i produttori di veicoli, coprendo una selezione di potenze nominali e supporto per le tensioni operative comunemente utilizzate nelle applicazioni di trazione EV. Ospitati nel pacchetto ACEPACK DRIVE della ST ottimizzato per le applicazioni di trazione, i moduli di potenza sono ritenuti affidabili (grazie alla tecnologia di sinterizzazione), robusti e facili da integrare per i produttori nelle unità dei veicoli elettrici. Internamente, i principali semiconduttori di potenza sono i MOSFET SiC STPOWER di terza generazione (Gen3) di ST, che combinano quella che viene considerata una figura di merito leader del settore (RDS (ON) x area matrice) con energia di commutazione molto bassa e prestazioni eccellenti nella rettifica sincrona.

"Le soluzioni in carburo di silicio di ST consentono ai principali OEM automobilistici di stabilire il ritmo dell'elettrificazione durante lo sviluppo delle future generazioni di veicoli elettrici", afferma Marco Monti, presidente di Automotive and Discrete Group di ST. "La nostra tecnologia SiC di terza generazione garantisce la massima densità di potenza ed efficienza energetica, con conseguenti prestazioni del veicolo, autonomia e tempo di ricarica superiori."

Hyundai Motor Company ha scelto i moduli di potenza basati su SiC-MOSFET Gen3 ACEPACK DRIVE di ST per la sua piattaforma EV di generazione attuale, chiamata E-GMP. In particolare, i moduli alimenteranno la Kia EV6. "I moduli di potenza basati su MOSFET SiC di ST sono la scelta giusta per i nostri inverter di trazione, consentendo una portata maggiore", afferma Sang-Cheol Shin, team di progettazione ingegneristica inverter presso Hyundai Motor Group. "La cooperazione tra le nostre due società ha realizzato un passo significativo verso veicoli elettrici più sostenibili, sfruttando il continuo investimento tecnologico di ST per essere l'attore principale dei semiconduttori nella rivoluzione dell'elettrificazione".

La ST ha già fornito dispositivi STPOWER SiC per oltre tre milioni di autovetture prodotte in serie in tutto il mondo. Con l'impianto di produzione di substrati SiC completamente integrato recentemente annunciato a Catania, che dovrebbe iniziare la produzione nel 2023, la ST si sta muovendo rapidamente per supportare la rapida transizione del mercato verso la mobilità elettrica.

I moduli ADP1200W280120, ADP3W360120 e ADP3W480120(-L) da 3 V della ST sono già in piena produzione. Gli ACEPACK DRIVE ADP750W46075 e ADP3W61075 da 3 V entreranno in piena produzione entro marzo 2023. Consentono una soluzione plug-and-play per inverter di trazione, compatibile con il raffreddamento diretto a liquido e dotati di un array pin-fin per un'efficiente dissipazione del calore. Specificati fino a una temperatura di giunzione massima di 175°C, forniscono connessioni press-fit durature e affidabili e stampi sinterizzati sul substrato per garantire una durata prolungata nelle applicazioni automobilistiche. La ST amplierà il portafoglio di prodotti per includere le versioni a transistor bipolare a gate isolato (IGBT) e ACEPACK DRIVE basate su diodi.

I moduli sono dotati della tecnologia del substrato AMB (Active Metal Brazed), nota per l'eccellente efficienza termica e resistenza meccanica, che monta un NTC (termistore a coefficiente di temperatura negativo) dedicato per ciascun substrato. Sono inoltre disponibili con una scelta di sbarre collettrici saldate o avvitate, offrendo flessibilità per soddisfare diversi requisiti di montaggio. Un'opzione a sbarre lunghe estende ulteriormente la flessibilità consentendo la scelta di un sensore Hall per monitorare la corrente del motore.

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Tag: STMicroelectronics MOSFET di potenza SiC

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