CGD introduce le schede di interfaccia applicative per provare gli ICeGaN HEMT nei progetti esistenti senza riconfigurare il PCB

News: Microelectronics

24 Maggio 2023

Cambridge GaN Devices Ltd (CGD), nata nel 2016 dal gruppo di conversione dell'energia elettrica e dell'energia del Dipartimento di ingegneria dell'Università di Cambridge e che progetta, sviluppa e commercializza transistor di potenza e circuiti integrati che utilizzano substrati GaN su silicio, ha introdotto un gamma di schede di interfaccia applicativa che consente ai progettisti di provare i transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) ICeGaN nei circuiti esistenti al posto di dispositivi MOSFET o GaN concorrenti senza dover ridisporre il PCB.

Le schede di interfaccia dell'applicazione sono PCB adattatori saldati a un dispositivo ICeGaN, che mappano ciascun pin/segnale dall'impronta ICeGaN HEMT ai pin/segnali corrispondenti di un'impronta di componente alternativo.

“Queste schede di interfaccia applicativa sono progettate esclusivamente a scopo di progettazione e valutazione, ovviamente. Questo è un primo passo rapido per consentire all’utente di inserire uno dei nostri circuiti integrati ICeGaN in un progetto esistente”, afferma Peter Comiskey, direttore dell’ingegneria delle applicazioni. "C'è qualche impatto minore sulle prestazioni termiche, ma sorprendentemente poca differenza nella compatibilità elettromagnetica o nelle prestazioni elettriche."

CGD offre schede di interfaccia applicativa per una serie di dispositivi standard del settore dei principali produttori di dispositivi MOSFET e GaN. Un elenco completo è disponibile su guida utente, ma l'azienda può anche sviluppare una scheda di interfaccia applicativa per i dispositivi attualmente non supportati, con consegna entro quattro settimane.

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Gli HEMT ICeGaN di CGD sono disponibili in grandi volumi

Tag: Dispositivi di potenza GaN

Visita: www.camgandevices.com

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• Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/cgd-240523.shtml