Toshiba fornisce il primo modulo MOSFET SiC doppio da 2200 V

News: Microelectronics

29 agosto 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (TDSC), con sede in Giappone, scorporata da Toshiba Corp nel 2017, ha iniziato le spedizioni in volume di quello che ritiene sia il primo modulo MOSFET a doppio carburo di silicio (SiC) da 2200 V del settore per apparecchiature industriali.

Immagine: MG250YD2YMS3 di Toshiba, il primo modulo MOSFET SiC doppio da 2200 V.

Utilizzando i chip MOSFET SiC di terza generazione dell'azienda e con una corrente di drenaggio (CC) nominale di 250 A, il nuovo modulo MG250YD2YMS3 è adatto per applicazioni che utilizzano 1500 V CC, come sistemi di generazione di energia da fonti rinnovabili (sistemi di alimentazione fotovoltaici, ecc.) e sistemi di accumulo di energia. .

Tali applicazioni industriali utilizzano generalmente una potenza di 1000 V CC o inferiore e i loro dispositivi di alimentazione sono per lo più prodotti da 1200 V o 1700 V, ma Toshiba prevede un utilizzo diffuso di 1500 V CC nei prossimi anni.

L'MG250YD2YMS3 offre una bassa perdita di conduzione con una bassa tensione di alimentazione (sensore) drain-source di 0.7 V (tipica, testata a ID=250A, VGS=+20 V, Tch=25°C). Offre inoltre una minore perdita di commutazione all'accensione e allo spegnimento rispettivamente di 14 mJ (tipico) e 11 mJ (tipico) (testato a VDD= 1100V, ID=250A, tch=150°C), una riduzione di circa il 90% rispetto a un tipico modulo con transistor bipolare a gate isolato (IGBT) in silicio (Si) da 2300 V. Queste caratteristiche contribuiscono a una maggiore efficienza delle apparecchiature. La realizzazione di una bassa perdita di commutazione consente inoltre di sostituire il circuito convenzionale a tre livelli con un circuito a due livelli con un numero di moduli inferiore, contribuendo alla miniaturizzazione delle apparecchiature.

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Tag: Toshiba

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