A KERI átadja a SiC teljesítmény félvezető ion implantációs kiértékelő technológiát a magyarországi SEMILAB-nak

A KERI átadja a SiC teljesítmény félvezető ion implantációs kiértékelő technológiát a magyarországi SEMILAB-nak

Időbélyeg: 8. szeptember 2023. 8:30
Forrás csomópont: 2869633

Hírek: Szállítók

8. szeptember 2023.

A Koreai Elektrotechnológiai Kutatóintézet (KERI) – amelyet a dél-koreai Tudományos és Technológiai Kutatási Tanács (NST) a dél-koreai Tudományos és IKT-minisztérium finanszíroz – áthelyezte a szilícium-karbid (SiC) teljesítmény-félvezetők ionbeültetési és értékelési technológiáját a metrológiai berendezésekbe. Budapesti SEMILAB ZRT cég.

Míg a SiC teljesítmény-félvezetőknek számos előnye van, a gyártási folyamat igen nagy kihívást jelent. Korábban a módszer az volt, hogy egy olyan eszközt hoztak létre, amely egy epitaxiális réteget képezett egy nagy vezetőképességű lapkán, és áramot vezettek át ezen a területen. A folyamat során azonban az epiréteg felülete érdessé válik, és az elektronátvitel sebessége csökken. Maga az epiwafer ára is magas, ami komoly akadálya a tömeggyártásnak.

Ennek a problémának a megoldására a KERI egy olyan módszert alkalmazott, amellyel ionokat ültettek be egy epiréteg nélküli félszigetelő SiC lapkába, hogy az ostyát vezetőképessé tegyék.

Mivel a SiC anyagok kemények, nagyon nagy energiájú ionimplantációt igényelnek, amelyet magas hőmérsékletű hőkezelés követ az ionok aktiválásához, ami megnehezíti a technológia megvalósítását. A KERI azonban azt állítja, hogy a SiC-nek szentelt ionimplantációs berendezések üzemeltetésében szerzett 10 éves tapasztalata alapján sikerült a megfelelő technológiákat kialakítani.

Balról a második Dr. Bahng Wook, a KERI Power Semiconductor Research Division ügyvezető igazgatója; a harmadik balról Park Su-yong, a Semilab Korea Co Ltd. vezérigazgatója.

Kép: Második balról Dr. Bahng Wook, a KERI Power Semiconductor Research Division ügyvezető igazgatója; a harmadik balról Park Su-yong, a Semilab Korea Co Ltd. vezérigazgatója.

„Az ionimplantációs technológia jelentősen csökkentheti a folyamat költségeit a félvezető eszközök áramának növelésével és a drága epiwaferek cseréjével” – mondja Dr. Kim Hyoung Woo, a KERI Fejlett Félvezető Kutatóközpontjának igazgatója. "Ez egy olyan technológia, amely növeli a nagy teljesítményű SiC teljesítmény-félvezetők árának versenyképességét, és nagyban hozzájárul a tömeggyártáshoz."

A technológia a közelmúltban került át a SEMILAB-hoz, amelynek gyártóüzemei ​​Magyarországon és az USA-ban vannak. A SEMILAB 30 éves múlttal rendelkezik a közepes méretű precíziós mérőberendezésekre és az anyagjellemző berendezésekre vonatkozó szabadalmak, valamint a félvezető elektromos paraméterértékelő rendszerek technológiájával.

Félig szigetelő SiC ostya.

Kép: Félig szigetelő SiC ostya.

A cégek arra számítanak, hogy a technológiatranszfer révén képesek lesznek a kiváló minőségű SiC szabványosítására. A SEMILAB azt tervezi, hogy a KERI technológiáját felhasználja speciális berendezések kifejlesztésére a SiC teljesítmény-félvezetők ionbeültetési folyamatának értékelésére. „Speciális berendezések fejlesztésével képesek leszünk előrehaladni a SiC lapkákon végzett implantációs folyamatok in-line monitorozásában az implantátumrendszerek azonnali, pontos és alacsony költségű gyártásellenőrzése, valamint a pre-anal implantátum in-line monitorozása érdekében” Park Su-yong, a SEMILAB Korea elnöke. "Ez nagyszerű alapot jelent majd a kiváló minőségű ionimplantációs tömeggyártási folyamat stabil biztosításához, kiváló egyenletességgel és reprodukálhatósággal."

Címkék: SiC eszközök Teljesítmény elektronika ion implantátorok

Látogasson el: www.semilab.com

Látogasson el: www.keri.re.kr/html/en

Időbélyeg:

Még több Félvezető ma