Legal Verdict: STMicroelectronics Liable For $32.5M Damages To Purdue University In Transistor Technology Patent Case

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STMicroelectronicsएक प्रमुख यूरोपीय चिप निर्माता को इसके लिए जिम्मेदार ठहराया गया है पर्ड्यू विश्वविद्यालय का उल्लंघन पेटेंट से संबंधित ट्रांजिस्टर तकनीकी। यह फैसला, एक जूरी द्वारा सुनाया गया वेस्ट टेक्सास अदालत ने $32.5 मिलियन के हर्जाने का फैसला सुनाया। जूरी ने पर्ड्यू के इस तर्क का समर्थन किया कि एसटी का उपयोग सिलिकन कार्बाइड धातु ऑक्साइड अर्धचालक क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (MOSFETs) इलेक्ट्रिक-वाहन चार्जर और अन्य उपकरणों में विशेष रूप से "उच्च-वोल्टेज बिजली अनुप्रयोगों" के लिए डिज़ाइन किए गए ट्रांजिस्टर से संबंधित विश्वविद्यालय के पेटेंट अधिकारों का उल्लंघन किया गया है। जवाब में, एक एसटी प्रवक्ता ने अपील दायर करके फैसले को चुनौती देने की कंपनी की योजना की घोषणा की।

माइकल शोरपर्ड्यू का प्रतिनिधित्व करने वाले एक वकील ने एसटी के खिलाफ सम्मोहक सबूतों पर प्रकाश डाला, संभावित अतिरिक्त का सुझाव दिया रॉयल्टी 100 में पेटेंट की समाप्ति से पहले $2026 मिलियन से अधिक।

MOSFETs बिजली के प्रवाह को नियंत्रित और बढ़ाकर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। पर्ड्यू ने कंपनी के MOSFETs पर आरोप लगाते हुए 2021 में ST के खिलाफ मुकदमा शुरू किया उल्लंघन इसके दो ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकी पेटेंट पर। हालाँकि, पर्ड्यू के एक पेटेंट को विश्वविद्यालय द्वारा मामले से हटा दिया गया था वेस्ट लाफायेट, इंडियाना पिछले साल। एसटी ने आरोपों का विरोध करते हुए तर्क दिया कि शेष पर्ड्यू पेटेंट अमान्य था।

कानूनी विवाद को पर्ड्यू यूनिवर्सिटी बनाम एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स इंटरनेशनल एन.वी. के नाम से जाना जाता है और इसे में दायर किया गया था। टेक्सास के पश्चिमी जिले के लिए अमेरिकी जिला न्यायालय केस नंबर 6:21-सीवी-00727 के तहत।

निर्णय