NEC kehittää nopeita, suurikapasiteettisia tehovahvistimia seuraavan sukupolven verkkoihin

NEC kehittää nopeita, suurikapasiteettisia tehovahvistimia seuraavan sukupolven verkkoihin

Lähdesolmu: 1907578

TOKYO, Jan 19, 2023 - (JCN Newswire) - NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) has developed a power amplifier that will serve as a key device for mobile access and fronthaul/backhaul wireless communication equipment to enable high-speed, high-capacity communications for 5G Advanced and 6G networks. This power amplifier uses GaAs technology that can be mass-produced and has achieved the world's highest output power(*) of 10 mW in the 150 GHz band. Capitalizing on this, NEC aims to fast-track both equipment development and social implementation.

Äskettäin kehitetty D-kaistainen tehovahvistin

5G Advancedin ja 6G:n odotetaan tarjoavan 100 Gbps-luokan nopeaa ja suuren kapasiteetin viestintää, mikä vastaa 10 kertaa nykyisen 5G:n nopeutta. Tämä voidaan saavuttaa tehokkaasti käyttämällä aliterahertsin kaistaa (100-300 GHz), joka voi tarjota laajan kaistanleveyden 10 GHz tai enemmän. Erityisesti D-kaistan (130–174.8 GHz), joka on kansainvälisesti varattu kiinteään langattomaan viestintään, kaupallistamista odotetaan aikaisessa vaiheessa.

NEC jatkaa teknologisen kehityksen edistymistä hyödyntämällä tietämystään korkeataajuuskaistoista, joita on kasvatettu kehittämällä ja käyttämällä radiolaitteita 5G-tukiasemille ja PASOLINK-järjestelmää, joka on erittäin pienikokoinen mikroaaltoviestintäjärjestelmä, joka yhdistää tukiasemat langattoman viestinnän kautta.

Äskettäin kehitetty tehovahvistin käyttää kaupallisesti saatavilla olevaa 0.1 μm galliumarsenidi (GaAs) pseudomorfista korkean elektronin liikkuvuuden transistorin (pHEMT) prosessia. Verrattuna CMOS:iin ja piigermaniumiin (SiGe), joita käytetään aliterahertsin kaistalla, GaAs pHEMT:illä on korkea käyttöjännite ja alhaisemmat massatuotannon alkukustannukset.

In terms of circuit design, this power amplifier eliminates factors that degrade performance in the high-frequency band and uses an impedance matching network configuration suitable for high output power. This has resulted in the achievement of excellent high-frequency characteristics between 110 GHz and 150 GHz as well as the world's highest output power for a GaAs pHEMT.

Suorituskykyisten ja edullisien yli 100 GHz:n radioviestintälaitteiden toteuttamisen lisäksi tämä tehovahvistin nopeuttaa 5G Advancedin ja 6G:n sosiaalista toteutusta.

Jatkossa NEC jatkaa teknologioiden kehittämistä, joiden tavoitteena on saavuttaa nopea, suurikapasiteettinen ja kustannustehokas langaton viestintä 5G Advanced- ja 6G-yhteyksille.

Tätä tutkimusta tukee Japanin sisä- ja viestintäministeriö (JPJ000254).

NEC julkistaa lisätietoja tästä tekniikasta IEEE:n ajankohtaisessa konferenssissa RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023), kansainvälisessä konferenssissa, joka on tarkoitus pitää Las Vegasissa, Nevadassa, Yhdysvalloissa 22. tammikuuta 2023 alkaen.

(*) NEC:n tutkimuksen mukaan 19.

Tietoja NEC Corporationista

NEC Corporation on vakiinnuttanut asemansa johtavana IT- ja verkkoteknologioiden integroijana ja samalla edistänyt tuotemerkkiä "Orchestrating a brighter world". NEC mahdollistaa yritysten ja yhteisöjen sopeutumisen sekä yhteiskunnassa että markkinoilla tapahtuviin nopeisiin muutoksiin, koska se tarjoaa turvallisuuden, turvallisuuden, oikeudenmukaisuuden ja tehokkuuden sosiaalisia arvoja edistääkseen kestävämpää maailmaa, jossa jokaisella on mahdollisuus saavuttaa täysi potentiaalinsa. Lisätietoja on NEC:ssä osoitteessa www.nec.com.

Aikaleima:

Lisää aiheesta JCN Newswire