KERI siirtää piikarbidin tehopuolijohde-ioni-implantaation arviointiteknologian Unkarin SEMILABille

Uutiset: Toimittajat

8 syyskuu 2023

Etelä-Korean tiede- ja ICT-ministeriön National Research Council of Science & Technology (NST) rahoittama Korea Electrotechnology Research Institute (KERI) on siirtänyt piikarbidin (SiC) tehopuolijohteiden ioni-istutus- ja arviointiteknologian metrologisiin laitteisiin. SEMILAB ZRT Budapestista, Unkarista.

Vaikka piikarbiditehopuolijohteilla on monia etuja, valmistusprosessi on erittäin haastava. Aikaisemmin menetelmänä oli luoda laite muodostamalla epitaksiaalinen kerros erittäin johtavalle kiekolle ja virtaamalla virta tämän alueen läpi. Tämän prosessin aikana epikerroksen pinta kuitenkin karheutuu ja elektronien siirtonopeus laskee. Myös itse epiwaferin hinta on korkea, mikä on suuri este massatuotannolle.

Tämän ongelman ratkaisemiseksi KERI käytti menetelmää istuttaa ioneja puolieristävään piikarbidikiekkoon, jossa ei ollut epikerrosta, jotta kiekko saadaan sähköä johtavaksi.

Koska piikarbidimateriaalit ovat kovia, ne vaativat erittäin korkean energian ioni-istutusta, jota seuraa korkean lämpötilan lämpökäsittely ionien aktivoimiseksi, mikä tekee siitä vaikean tekniikan toteuttaa. KERI kertoo kuitenkin onnistuneensa luomaan tarvittavat teknologiat 10 vuoden kokemuksensa piikarbidille omistettujen ioni-implantaatiolaitteiden käytöstä.

Kuva: Toinen vasemmalta, tohtori Bahng Wook, KERI:n Power Semiconductor Research Divisionin toiminnanjohtaja; kolmas vasemmalta Park Su-yong, Semilab Korea Co Ltd:n toimitusjohtaja.

"Ioni-istutusteknologia voi vähentää merkittävästi prosessikustannuksia lisäämällä virtaa puolijohdelaitteissa ja korvaamalla kalliita epikiekoja", sanoo tohtori Kim Hyoung Woo, johtaja, Advanced Semiconductor Research Center, KERI. "Tämä on teknologia, joka lisää korkean suorituskyvyn piikarbiditehopuolijohteiden hintakilpailukykyä ja edistää suuresti massatuotantoa."

Tekniikka siirrettiin hiljattain SEMILABille, jolla on tuotantolaitokset Unkarissa ja Yhdysvalloissa. SEMILABilla on 30 vuoden historia, ja se omistaa patentteja keskikokoisille tarkkuusmittauslaitteille ja materiaalien karakterisointilaitteille sekä teknologiaa puolijohteiden sähköisten parametrien arviointijärjestelmiin.

Kuva: Puolieristävä SiC kiekko.

Yritykset odottavat pystyvänsä teknologian siirron kautta standardoimaan korkealaatuista piikarbidia. SEMILAB aikoo käyttää KERI:n teknologiaa kehittääkseen erikoislaitteita piikarbidin tehopuolijohteiden ioni-istutusprosessin arvioimiseksi. "Erikoislaitteiden kehittämisen avulla pystymme edistämään SiC-kiekkojen implanttiprosessien suoraa seurantaa implanttijärjestelmien välittömän, tarkan ja edullisen tuotannon ohjaamiseksi sekä pre-healistuvan implantin in-line-seurantaan", sanoo Park Su-yong, SEMILAB Korean presidentti. "Tämä on loistava perusta korkealaatuisen ioni-implantaation massatuotantoprosessin vakaalle varmistamiselle erinomaisella yhtenäisyydellä ja toistettavuudella."

Tunnisteet: SiC-laitteet Tehoelektroniikka ioni-istuttimet

Visit: www.semilab.com

Visit: www.keri.re.kr/html/en

• SEO-pohjainen sisällön ja PR-jakelu. Vahvista jo tänään.
• PlatoData.Network Vertical Generatiivinen Ai. Vahvista itseäsi. Pääsy tästä.
• PlatoAiStream. Web3 Intelligence. Tietoa laajennettu. Pääsy tästä.
• PlatoESG. Autot / sähköautot, hiili, CleanTech, energia, ympäristö, Aurinko, Jätehuolto. Pääsy tästä.
• PlatonHealth. Biotekniikan ja kliinisten kokeiden älykkyys. Pääsy tästä.
• ChartPrime. Nosta kaupankäyntipeliäsi ChartPrimen avulla. Pääsy tästä.
• BlockOffsets. Ympäristövastuun omistuksen nykyaikaistaminen. Pääsy tästä.
• Lähde: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/sep/keri-semilabzrt-080923.shtml