Dispositivos semiconductores de potencia: gestión térmica y empaquetado

Dispositivos semiconductores de potencia: gestión térmica y empaquetado

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Investigadores del Instituto Politécnico de Virginia y la Universidad Estatal, el Laboratorio de Investigación Naval de EE. UU. y la Univ Lyon, CNRS publicaron un artículo técnico titulado “Gestión térmica y empaquetado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha y ultra ancha: una revisión y perspectiva”.

“Este documento proporciona una revisión oportuna de la gestión térmica de los dispositivos de energía WBG y UWBG con énfasis en los dispositivos empaquetados. Además, los dispositivos UWBG emergentes son muy prometedores para aplicaciones de alta temperatura debido a su baja densidad de portadores intrínsecos y su mayor ionización dopante a temperaturas elevadas. El cumplimiento de esta promesa en aplicaciones de sistemas, junto con la superación de las limitaciones térmicas de algunos materiales UWBG, requiere nuevas tecnologías de embalaje y gestión térmica. Con este fin, brindamos perspectivas sobre los desafíos relevantes, posibles soluciones y oportunidades de investigación, destacando las necesidades apremiantes de codiseño electrotérmico dispositivo-paquete y paquetes de alta temperatura que puedan soportar los altos campos eléctricos esperados en los dispositivos UWBG”, afirma el papel.

Encuentra la técnica papel aqui. Publicado en 2023.

Qin, Yuan, Benjamin Albano, Joseph Spencer, James Spencer Lundh, Boyan Wang, Cyril Buttay, Marko J. Tadjer, Christina DiMarino y Yuhao Zhang. "Gestión térmica y empaquetado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha y ultra ancha: una revisión y perspectiva". Journal of Physics D: Física aplicada (2023).

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