STMicroelectronics, un fabricante de chips líder en Europa, ha sido responsabilizado por violando las normas de la Universidad Purdue patentar relacionado con transistor tecnología. Este fallo, emitido por un jurado en un West Texas tribunal, resultó en un veredicto de daños y perjuicios de 32.5 millones de dólares. El jurado apoyó el argumento de Purdue de que el uso de ST de Carburo de silicio. Óxido de metal semiconductor transistores de efecto de campo (MOSFET) en cargadores de vehículos eléctricos y otros dispositivos violaron los derechos de patente de la universidad relacionados específicamente con transistores diseñados para "aplicaciones de energía de alto voltaje". En respuesta, un portavoz de ST anunció el plan de la empresa de impugnar el veredicto mediante la presentación de una apelación.
michael orilla, un abogado que representa a Purdue, destacó pruebas convincentes contra ST, sugiriendo posibles adicionales derechos de autor superar los 100 millones de dólares antes de que expire la patente en 2026.
Los MOSFET desempeñan un papel fundamental en los dispositivos electrónicos al controlar y amplificar el flujo de electricidad. Purdue inició la demanda contra ST en 2021, alegando que los MOSFET de la empresa infringido sobre dos de sus patentes de tecnología de transistores. Sin embargo, una de las patentes de Purdue fue retirada del caso por la universidad en West Lafayette, Indiana el año pasado. ST impugnó las acusaciones, argumentando que la patente restante de Purdue no era válida.
La disputa legal se conoce como Purdue University v. STMicroelectronics International NV y se presentó en el Tribunal de Distrito de EE. UU. Para el Distrito Oeste de Texas bajo el expediente No. 6:21-cv-00727.
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- Fuente: https://www.iniplaw.org/legal-verdict-stmicroelectronics-liable-for-32-5m-damages-to-purdue-university-in-transistor-technology-patent-case/
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