Toshiba envía el primer módulo MOSFET de SiC dual de 2200 V

Noticias: Microelectrónica

29 de agosto de 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (TDSC), con sede en Japón, que se escindió de Toshiba Corp en 2017, ha comenzado a realizar envíos en volumen de lo que considera el primer módulo MOSFET dual de carburo de silicio (SiC) de 2200 V de la industria para equipos industriales.

Imagen: MG250YD2YMS3 de Toshiba, el primer módulo MOSFET de SiC dual de 2200 V.

Utilizando los chips SiC MOSFET de tercera generación de la empresa y con una clasificación de corriente de drenaje (CC) de 250 A, el nuevo módulo MG250YD2YMS3 es adecuado para aplicaciones que utilizan CC 1500 V, como sistemas de generación de energía renovable (sistemas de energía fotovoltaica, etc.) y sistemas de almacenamiento de energía. .

Estas aplicaciones industriales generalmente utilizan CC de 1000 V o menos, y sus dispositivos de alimentación son en su mayoría productos de 1200 V o 1700 V, pero Toshiba prevé un uso generalizado de CC de 1500 V en los próximos años.

El MG250YD2YMS3 ofrece una baja pérdida de conducción con un bajo voltaje de encendido (detección) de fuente de drenaje de 0.7 V (típico, probado en ID=250A,VGS=+20V,Tch=25°C). También ofrece una pérdida de conmutación de encendido y apagado más baja de 14 mJ (típica) y 11 mJ (típica) respectivamente (probada a VDD= 1100V, meD=250A,Tch= 150 °C), una reducción de aproximadamente el 90 % en comparación con un módulo típico de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de silicio (Si) de 2300 V. Estas características contribuyen a una mayor eficiencia del equipo. Lograr una baja pérdida de conmutación también permite reemplazar el circuito convencional de tres niveles por un circuito de dos niveles con un menor número de módulos, lo que contribuye a la miniaturización del equipo.

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Tags: Toshiba

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