Noticias: Microelectrónica
13 November 2023
Mitsubishi Electric Corp, con sede en Tokio, está estableciendo una asociación estratégica con el diseñador y fabricante de dispositivos discretos Nexperia BV de Nijmegen, Países Bajos (una subsidiaria de Wingtech Technology Co Ltd) para desarrollar conjuntamente semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) para el mercado de la electrónica de potencia. Mitsubishi Electric aprovechará sus tecnologías de semiconductores de banda ancha para desarrollar y suministrar chips MOSFET de SiC que Nexperia utilizará para desarrollar dispositivos discretos de SiC.
La expansión global del mercado de vehículos eléctricos está ayudando a impulsar el crecimiento exponencial de los semiconductores de potencia de SiC, que ofrecen una menor pérdida de energía, temperaturas de funcionamiento más altas y velocidades de conmutación más rápidas que los semiconductores de potencia de silicio convencionales. Se espera que la alta eficiencia de los semiconductores de potencia de SiC contribuya significativamente a la descarbonización global y la transformación verde.
Mitsubishi Electric afirma haber establecido posiciones de liderazgo en aplicaciones como trenes de alta velocidad, aplicaciones industriales de alto voltaje y electrodomésticos, después de lanzar los primeros módulos de energía de SiC para acondicionadores de aire en 2010 y convertirse en el primer proveedor de energía totalmente de SiC. módulo para trenes bala Shinkansen en 2015. Mitsubishi Electric afirma que ha acumulado experiencia en el desarrollo y fabricación de módulos de potencia de SiC, conocidos por su rendimiento avanzado y alta confiabilidad.
De cara al futuro, Mitsubishi Electric espera fortalecer su asociación con Nexperia, cuyos dispositivos se utilizan en los mercados automovilístico, industrial, móvil y de consumo, contribuyendo a la descarbonización y la sostenibilidad. Mitsubishi Electric pretende seguir mejorando el rendimiento y la calidad de sus chips de SiC y centrarse en el desarrollo de módulos de potencia utilizando tecnologías de módulos patentadas.
"Esta asociación estratégica mutuamente beneficiosa con Mitsubishi Electric representa un paso significativo en el camino del carburo de silicio de Nexperia", cree Mark Roeloffzen, vicepresidente senior y director general del grupo empresarial Bipolar Discretes de Nexperia. “Mitsubishi Electric tiene una sólida trayectoria como proveedor de dispositivos y módulos de SiC técnicamente probados. Combinados con los altos estándares de calidad y la experiencia de Nexperia en productos y embalajes discretos, sin duda generaremos sinergias positivas entre ambas empresas, lo que en última instancia permitirá a nuestros clientes ofrecer productos de alta eficiencia energética en los mercados industrial, automotriz o de consumo a los que sirven”, añade.
"Nexperia es una empresa líder en el sector industrial con tecnologías probadas para semiconductores discretos de alta calidad", comenta Masayoshi Takemi, director ejecutivo y presidente del grupo Semiconductores y Dispositivos de Mitsubishi Electric. "Estamos encantados de iniciar esta asociación de codesarrollo que aprovechará las tecnologías de semiconductores de ambas empresas".
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Mitsubishi Electric MOSFET de potencia SiC
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- Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/nov/mitsubishielectric-nexperia-131123.shtml
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