Νομική ετυμηγορία: Η STMicroelectronics είναι υπεύθυνη για ζημιές 32.5 εκατομμυρίων δολαρίων στο Πανεπιστήμιο Purdue σε περίπτωση διπλώματος ευρεσιτεχνίας τεχνολογίας τρανζίστορ

Αναδημοσίευση από τον Πλάτωνα

Ακολουθούν: 0

STMicroelectronics, κορυφαίος ευρωπαϊκός κατασκευαστής τσιπ, έχει λογοδοτήσει για παραβιάζοντας το Πανεπιστήμιο Purdue ευρεσιτεχνία που σχετίζονται με τρανζίστορ τεχνολογία. Αυτή η απόφαση, που εκδόθηκε από ένορκο σε α Δυτικό Τέξας δικαστήριο, κατέληξε σε ετυμηγορία αποζημίωσης 32.5 εκατομμυρίων δολαρίων. Η κριτική επιτροπή υποστήριξε το επιχείρημα του Purdue ότι η χρήση του ST καρβίδιο του πυριτίου οξείδιο μετάλλου ημιαγωγός τρανζίστορ εφέ πεδίου (MOSFETs) στους φορτιστές ηλεκτρικών οχημάτων και σε άλλες συσκευές παραβίασαν τα δικαιώματα ευρεσιτεχνίας του πανεπιστημίου που αφορούν ειδικά τρανζίστορ σχεδιασμένα για «εφαρμογές ισχύος υψηλής τάσης». Σε απάντηση, ένας εκπρόσωπος του ST ανακοίνωσε το σχέδιο της εταιρείας να αμφισβητήσει την ετυμηγορία καταθέτοντας έφεση.

Μάικλ Σορ, ένας δικηγόρος που εκπροσωπεί τον Purdue, τόνισε επιτακτικά στοιχεία κατά του ST, υποδεικνύοντας πιθανά πρόσθετα δικαιώματα υπερβαίνει τα 100 εκατομμύρια δολάρια πριν από τη λήξη του διπλώματος ευρεσιτεχνίας το 2026.

Τα MOSFET διαδραματίζουν κρίσιμο ρόλο στις ηλεκτρονικές συσκευές ελέγχοντας και ενισχύοντας τη ροή ηλεκτρικής ενέργειας. Ο Purdue κίνησε τη αγωγή κατά της ST το 2021, ισχυριζόμενος ότι τα MOSFET της εταιρείας παραβιάστηκε με δύο από τα διπλώματα ευρεσιτεχνίας τεχνολογίας τρανζίστορ της. Ωστόσο, ένα από τα διπλώματα ευρεσιτεχνίας του Purdue αφαιρέθηκε από την υπόθεση από το πανεπιστήμιο Δυτική Λαφαγιέτ, Ιντιάνα πέρυσι. Ο ST αμφισβήτησε τις κατηγορίες, υποστηρίζοντας ότι το υπόλοιπο δίπλωμα ευρεσιτεχνίας Purdue ήταν άκυρο.

Η δικαστική διαμάχη είναι γνωστή ως Purdue University v. STMicroelectronics International NV και κατατέθηκε στο Επαρχιακό Δικαστήριο των ΗΠΑ για τη Δυτική Περιφέρεια του Τέξας υπό υπόθεση Αρ. 6:21-cv-00727.

Ετυμηγορία