Η Aixtron λανσάρει την πλατφόρμα G10-GaN MOCVD για συσκευές ισχύος και ραδιοσυχνοτήτων

Η Aixtron λανσάρει την πλατφόρμα G10-GaN MOCVD για συσκευές ισχύος και ραδιοσυχνοτήτων

Χρονική σήμανση: 6 Σεπτεμβρίου 2023 9:07 π.μ.
Κόμβος πηγής: 2867170

Ειδήσεις: Προμηθευτές

6 2023 Σεπτέμβριο

Στην εκδήλωση SEMICON Taiwan 2023 στην Ταϊπέι (6-8 Σεπτεμβρίου), η εταιρεία κατασκευής εξοπλισμού εναπόθεσης Aixtron SE του Herzogenrath, κοντά στο Άαχεν της Γερμανίας λάνσαρε τη νέα της πλατφόρμα G10-GaN cluster μετάλλων-οργανικών χημικών ατμών απόθεσης (MOCVD) για το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN Συσκευές που βασίζονται σε ισχύ και ραδιοσυχνότητες (RF), που προσφέρουν την καλύτερη απόδοση στην κατηγορία τους, έναν ολοκαίνουργιο συμπαγή σχεδιασμό και συνολικά το χαμηλότερο κόστος ανά γκοφρέτα.

Εικόνα: Το νέο σύστημα G10-GaN MOCVD της Aixtron.

«Η νέα μας πλατφόρμα G10-GaN έχει ήδη πιστοποιηθεί για την παραγωγή σε όγκο συσκευών ισχύος GaN από έναν κορυφαίο κατασκευαστή συσκευών στις ΗΠΑ», σημειώνει ο Διευθύνων Σύμβουλος και Πρόεδρος Dr Felix Grawert. «Η νέα πλατφόρμα προσφέρει διπλάσια παραγωγικότητα ανά περιοχή καθαρού δωματίου από το προηγούμενο προϊόν μας, ενώ παράλληλα επιτρέπει ένα νέο επίπεδο ομοιομορφιών υλικών, ξεκλειδώνοντας νέους μοχλούς ανταγωνιστικότητας για τους πελάτες μας», προσθέτει. «Οι συσκευές τροφοδοσίας GaN πρόκειται να διαδραματίσουν αποφασιστικό ρόλο στη μείωση του παγκόσμιου CO2 εκπομπές, προσφέροντας πολύ πιο αποτελεσματική μετατροπή ισχύος από το συμβατικό πυρίτιο, μειώνοντας τις απώλειες κατά δύο έως τρεις. Αναμένουμε ότι αυτή η αγορά θα αναπτύσσεται συνεχώς μέχρι το τέλος της δεκαετίας και μετά. Σήμερα, η GaN έχει ήδη αντικαταστήσει το πυρίτιο για γρήγορους φορτιστές που χρησιμοποιούνται σε φορητές συσκευές και βλέπουμε μια αυξανόμενη ζήτηση για κέντρα δεδομένων ή ηλιακές εφαρμογές».

Η Aixtron αναπτύσσει διαδικασίες και υλικό GaN-on-Si για περισσότερα από 20 χρόνια. Ο πλανητικός αντιδραστήρας AIX G5+ C ήταν το πρώτο πλήρως αυτοματοποιημένο σύστημα GaN MOCVD λόγω του In-Situ Cleaning και του αυτοματισμού Cassette-to-Cassette. Η ολοκαίνουργια λύση συμπλέγματος G10-GaN βασίζεται στις ίδιες βασικές αρχές, ενώ επεκτείνει κάθε μεμονωμένη μέτρηση απόδοσης.

Συσκευασμένη σε μια νέα, συμπαγή διάταξη για να εκμεταλλευτείτε τον μικρότερο χώρο καθαρού δωματίου, η πλατφόρμα διαθέτει νέες εισόδους αντιδραστήρα, βελτιώνοντας την ομοιομορφία του υλικού κατά δύο φορές για βέλτιστες αποδόσεις της συσκευής. Οι ενσωματωμένοι αισθητήρες συμπληρώνονται από μια νέα σουίτα λογισμικού και λύσεις δακτυλικών αποτυπωμάτων για να διασφαλιστεί ότι το σύστημα παρέχει σταθερά την ίδια απόδοση μετά την εκτέλεση, μεταξύ συντήρησης για όλες τις μονάδες διεργασίας – επεκτείνοντας τον χρόνο λειτουργίας του εξοπλισμού κατά περισσότερο από 5% σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά.

Το σύμπλεγμα μπορεί να εξοπλιστεί με έως και τρεις μονάδες διεργασίας, παρέχοντας χωρητικότητα ρεκόρ πλακών 15x200 mm χάρη στην τεχνολογία Planetary batch reactor – επιτρέποντας μείωση κόστους 25% ανά γκοφρέτα σε σύγκριση με προηγούμενα προϊόντα.

Δείτε σχετικά αντικείμενα:

Η Aixtron επενδύει έως και 100 εκατ. ευρώ για την κατασκευή νέου κέντρου καινοτομίας

Η Aixtron λανσάρει το σύστημα G10-AsP στο Photonic West

Η Aixtron λανσάρει το σύστημα CVD G10-SiC 200mm

Ετικέτες: Άξτρα

Επισκεφθείτε την ιστοσελίδα: www.aixtron.com

Σφραγίδα ώρας:

Περισσότερα από Ημιαγωγός σήμερα