ST steigert die Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen mit neuen Leistungsmodulen aus Siliziumkarbid

ST steigert die Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen mit neuen Leistungsmodulen aus Siliziumkarbid

Zeitstempel: 12. Dezember 2022, 10:56 Uhr
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News: Mikroelektronik

12 Dezember 2022

STMicroelectronics aus Genf, Schweiz, hat neue Hochleistungsmodule aus Siliziumkarbid (SiC) für Elektrofahrzeuge (EVs) herausgebracht, die Leistung und Reichweite steigern. Die derzeit in Produktion befindlichen ACEPACK DRIVE-Module wurden für Hyundais E-GMP-Elektrofahrzeugplattform ausgewählt (die vom Kia EV6 und mehreren Modellen gemeinsam genutzt wird).

Fünf neue SiC-MOSFET-basierte Leistungsmodule bieten Fahrzeugherstellern flexible Auswahlmöglichkeiten und decken eine Auswahl an Nennleistungen und Unterstützung für Betriebsspannungen ab, die üblicherweise in EV-Traktionsanwendungen verwendet werden. Die im ACEPACK DRIVE-Paket von ST untergebrachten, für Traktionsanwendungen optimierten Leistungsmodule gelten als zuverlässig (aufgrund der Sintertechnologie), robust und für Hersteller einfach in EV-Antriebe zu integrieren. Intern sind die wichtigsten Leistungshalbleiter die STPOWER SiC-MOSFETs der dritten Generation (Gen3) von ST, die angeblich branchenführende Leistungskennzahlen (RDS (EIN) x Die-Fläche) mit sehr geringer Schaltenergie und super Leistung bei Synchrongleichrichtung.

„Siliziumkarbid-Lösungen von ST versetzen große Automobil-OEMs in die Lage, das Tempo der Elektrifizierung bei der Entwicklung zukünftiger Generationen von Elektrofahrzeugen vorzugeben“, sagt Marco Monti, Präsident der Automotive and Discrete Group von ST. „Unsere SiC-Technologie der dritten Generation gewährleistet die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz, was zu überlegener Fahrzeugleistung, Reichweite und Ladezeit führt.“

Die Hyundai Motor Company hat sich für die ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3-basierten Leistungsmodule von ST für ihre EV-Plattform der aktuellen Generation namens E-GMP entschieden. Die Module werden insbesondere den Kia EV6 antreiben. „Die Leistungsmodule auf SiC-MOSFET-Basis von ST sind die richtige Wahl für unsere Traktionsumrichter und ermöglichen eine größere Reichweite“, sagt Sang-Cheol Shin, Inverter Engineering Design Team bei der Hyundai Motor Group. „Die Zusammenarbeit zwischen unseren beiden Unternehmen hat einen bedeutenden Schritt hin zu nachhaltigeren Elektrofahrzeugen getan und die kontinuierlichen technologischen Investitionen von ST genutzt, um der führende Halbleiterakteur in der Elektrifizierungsrevolution zu sein.“

ST hat bereits STPOWER SiC-Bausteine ​​für mehr als drei Millionen Serien-Pkw weltweit geliefert. Mit der kürzlich angekündigten voll integrierten Produktionsstätte für SiC-Substrate in Catania, die voraussichtlich 2023 die Produktion aufnehmen wird, bewegt sich ST schnell, um den raschen Marktübergang in Richtung Elektromobilität zu unterstützen.

Die 1200-V-Module ADP280120W3, ADP360120W3 und ADP480120W3(-L) von ST befinden sich bereits in voller Produktion. Die 750 V ACEPACK DRIVE ADP46075W3 und ADP61075W3 werden bis März 2023 in voller Produktion sein. Sie ermöglichen eine Plug-and-Play-Lösung für Traktionswechselrichter, die mit direkter Flüssigkeitskühlung kompatibel sind und über ein Pin-Fin-Array für eine effiziente Wärmeableitung verfügen. Sie sind bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C spezifiziert und bieten langlebige und zuverlässige Presspassungsverbindungen und auf das Substrat gesinterte Chips, um eine längere Lebensdauer in Automobilanwendungen zu gewährleisten. ST wird das Produktportfolio um IGBT- (Insulated Gate Bipolar Transistor) und Dioden-basierte ACEPACK DRIVE-Versionen erweitern.

Die Module verfügen über eine Active Metal Brazed (AMB)-Substrattechnologie, die für hervorragende thermische Effizienz und mechanische Festigkeit bekannt ist, wobei für jedes Substrat ein dedizierter NTC (negativer Temperaturkoeffizient-Thermistor) montiert ist. Sie sind auch mit einer Auswahl an geschweißten oder geschraubten Stromschienen erhältlich, was die Flexibilität bietet, unterschiedliche Montageanforderungen zu erfüllen. Eine Option mit langer Sammelschiene erweitert die Flexibilität weiter, indem sie die Wahl eines Hall-Sensors zur Überwachung des Motorstroms ermöglicht.

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Stichworte: STMicroelectronics SiC-Leistungs-MOSFET

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