News: Mikroelektronik
11. Mai 2023
Nach der Veröffentlichung von vier Voll-SiC-Modulen und zwei 3.3-kV-Hochspannungs-Dual-Typ-LV100-Modulen gibt das in Tokio ansässige Unternehmen Mitsubishi Electric Corp bekannt, dass es am 31. Mai mit der Auslieferung von Mustern eines neuen Siliziumkarbids mit eingebetteter Schottky-Barriere-Diode (SBD) beginnen wird (SiC) Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistormodul (MOSFET) mit Dual-Typ-Spannungsfestigkeit von 3.3 kV und 6.0 kVrms Isolationsspannung (Durchschlagsfestigkeit).
Mit den Maßen 100 mm x 140 mm x 40 mm soll das neue Modul FMF800DC-66BEW eine überragende Leistungsabgabe, Effizienz und Zuverlässigkeit in Wechselrichtersystemen für große Industrieanlagen wie Eisenbahnen und Stromversorgungssysteme unterstützen.
Bild: Das neue 3.3-kV-SBD-eingebettete SiC-MOSFET-Modul von Mitsubishi Electric.
Der in SBD eingebettete SiC-MOSFET und die optimierte Gehäusestruktur sollen die Schaltverluste im Vergleich zum bestehenden Silizium-Leistungsmodul des Unternehmens um 91 % und im Vergleich zum bestehenden SiC-Leistungsmodul um 66 % reduzieren, den Leistungsverlust des Wechselrichters reduzieren und zu einer höheren Leistung beitragen Effizienz.
Der im SBD eingebettete SiC-MOSFET und die optimierte Stromkapazität sollen zudem die Zuverlässigkeit des Wechselrichters verbessern.
Das optimierte Klemmenlayout ermöglicht eine Parallelschaltung und unterstützt je nach Anzahl der Parallelschaltungen verschiedene Wechselrichterkonfigurationen und -kapazitäten. Außerdem trägt eine Gehäusestruktur mit DC- und AC-Hauptanschlüssen mit entgegengesetzten Polen zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns bei.
Das neue Modul FMF800DC-66BEW wird auf wichtigen Messen ausgestellt, unter anderem auf der Power, Control and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 in Nürnberg (9.–11. Mai).
SiC-Leistungsmodule Mitsubishi Electric
www.MitsubishiElectric.com/semiconductors
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- Quelle: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/mitsubishi-electric-110523.shtml
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