CGD stellt Application Interface Boards zum Ausprobieren von ICeGaN HEMTs in bestehenden Designs ohne PCB-Neulayout vor

News: Mikroelektronik

24. Mai 2023

Cambridge GaN Devices Ltd (CGD), das 2016 aus der Abteilung für elektrische Energie- und Energieumwandlung des Department of Engineering der University of Cambridge hervorgegangen ist und Leistungstransistoren und ICs entwirft, entwickelt und vermarktet, die GaN-auf-Silizium-Substrate verwenden, hat ein eingeführt Eine Reihe von Anwendungsschnittstellenplatinen, mit denen Entwickler ihre ICeGaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) in vorhandenen Schaltkreisen anstelle konkurrierender MOSFET- oder GaN-Geräte ausprobieren können, ohne die Leiterplatte neu entwerfen zu müssen.

Anwendungsschnittstellenplatinen sind Adapterplatinen, die an ein ICeGaN-Gerät gelötet werden und jeden Pin/Signal vom ICeGaN-HEMT-Footprint auf die entsprechenden Pins/Signale eines alternativen Komponenten-Footprints abbilden.

„Diese Application Interface Boards sind natürlich nur für Design- und Evaluierungszwecke konzipiert. Dies ist ein schneller erster Schritt, der es dem Benutzer ermöglicht, einen unserer ICeGaN-ICs in ein bestehendes Design zu integrieren“, sagt Peter Comiskey, Leiter Anwendungstechnik. „Es gibt geringfügige Auswirkungen auf die thermische Leistung, aber überraschend wenig Unterschied bei der EMV- oder elektrischen Leistung.“

CGD bietet Anwendungsschnittstellenkarten für eine Reihe von Industriestandardgeräten führender MOSFET- und GaN-Gerätehersteller an. Eine vollständige Liste finden Sie auf der Benutzerhandbuch, aber das Unternehmen kann auch ein Application Interface Board für Geräte entwickeln, die derzeit nicht für die Lieferung innerhalb von vier Wochen unterstützt werden.

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ICeGaN-HEMTs von CGD sind in großen Stückzahlen erhältlich

Stichworte: GaN-Leistungsgeräte

Besuchen Sie: www.camgandevices.com

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