WIN发布下一代毫米波E-mode/D-mode GaAs pHEMT技术

新闻： 微电子

14 June 2023

台湾桃园市稳懋半导体公司为无线、基础设施和网络市场提供纯砷化镓 (GaAs) 和氮化镓 (GaN) 晶圆代工服务，宣布商业发布其 PQG3-0C next-新一代集成毫米波 (mmWave) GaAs 平台。

PQG3-0C 技术针对毫米波前端，结合了单独优化的增强模式（E 模式）低噪声和耗尽模式（D 模式）功率赝态高电子迁移率晶体管 (pHEMT)，以实现据称的在同一芯片上实现一流的功率放大器 (PA) 和低噪声放大器 (LNA) 性能。 E模式/D模式pHEMT的阈值频率(ft)分别为110GHz和90GHz，并且均采用通过深紫外步进技术制造的0.15μm T形栅极。 深紫外光刻是一种经过验证的大批量制造技术，适用于短栅极长度器件，消除了传统电子束图案化的产量限制。 PQG3-0C 提供两个带有射频开关和 ESD 保护二极管的专用毫米波晶体管，通过增强的片上功能支持广泛的前端功能。

E 模式和 D 模式晶体管均可用于毫米波放大并在 4V 下工作。 D 模式 pHEMT 以功率放大器为目标，在 0.6GHz 测量时提供超过 11W/mm 的功率和 50dB 线性增益以及接近 29% 的功率附加效率 (PAE)。 E 模式 pHEMT 作为单电源 LNA 运行效果最佳，在 0.7GHz 时提供低于 30dB 的最小噪声系数、8dB 相关增益和 3dBm 的三阶输出截距 (OIP26)。

PQG3-0C 平台在 150mm GaAs 基板上制造，提供两个具有低 k 电介质交叉的互连金属层、用于紧凑 ESD 保护电路的 PN 结二极管以及 RF 开关晶体管。 最终芯片厚度为 100μm，带有晶圆通孔 (TWV) 的背面接地板是标准配置，可配置为贯穿芯片的 RF 转换，以消除毫米波频率下键合线的不利影响。 PQG3-0C 还支持倒装芯片封装，并可与 WIN 内部凸块生产线制造的铜柱凸块一起提供。

WIN 将在美国加利福尼亚州圣地亚哥会议中心举行的 235 年国际微波研讨会（2023 月 11 日至 16 日）的 XNUMX 号展位上展示其化合物半导体射频和毫米波解决方案。

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WIN发布第二代0.1μm GaAs pHEMT技术

标签： WIN半导体

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• Sumber: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/jun/win-140623.shtml