最先进的商用 SiC 和 GaN 功率晶体管的特性

帕多瓦大学的研究人员发表了一篇题为“GaN 和 SiC 功率器件的回顾和展望：工业最先进、应用和前景”的技术论文。

摘要：

“我们对当前和下一代电力电子市场上可用的碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管进行了全面的回顾和展望。首先讨论了 GaN 和 SiC 器件的材料特性和结构差异。基于对不同商用 GaN 和 SiC 功率晶体管的分析，我们描述了这些技术的最新技术，重点介绍了优先的功率转换拓扑和每个技术平台的关键特性。还回顾了 GaN 和 SiC 器件当前和未来的应用领域。本文还报告了与这两种技术相关的主要可靠性方面。对于 GaN HEMT，描述了阈值电压稳定性、动态导通电阻和击穿限制，而对于 SiC MOSFET，分析还重点关注栅极氧化物故障和短路 (SC) 稳健性。最后，我们概述了此类材料在不同感兴趣领域的观点。指出了这两种技术未来可能的改进和发展。强调了对混合转换器的要求，以及仔细的性能优化和创新优化工具的使用。”

找出 技术论文在这里。 2024 年 XNUMX 月发布。

M. Buffolo 等人，“GaN 和 SiC 功率器件的回顾和展望：工业最先进的技术、应用和前景”，载于 IEEE Transactions on Electron Devices，doi：10.1109/TED.2023.3346369。

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• Sumber: https://semiengineering.com/properties-of-the-state-of-the-art-commercially-available-sic-and-gan-power-transistors/