Nexperia 推出适用于高要求功率转换应用的 650V SiC 二极管

由柏拉图重新发布

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20 2023月

荷兰奈梅亨的Nexperia BV（闻泰科技有限公司子公司）推出了一款650V碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为需要超高性能、低损耗和高效率的功率应用而设计。

10A、650V SiC 肖特基二极管是一款工业级器件，可应对高电压和高电流应用的挑战。其中包括开关模式电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源 (UPS) 和光伏逆变器，并可实现更可持续的运营。例如，配备使用 Nexperia PSC1065K SiC 肖特基二极管设计的电源的数据中心将比仅使用硅基解决方案的电源更能满足严格的能效标准。

PSC1065K 提供了所谓的领先性能，具有与温度无关的电容开关和零恢复行为，最终实现了出色的品质因数 (QC ×VF）。其开关性能几乎完全独立于电流和开关速度变化。 PSC1065K 的合并 PiN 肖特基 (MPS) 结构提供了额外的优势，例如出色的浪涌电流鲁棒性，无需额外的保护电路。这些功能显着降低了系统复杂性，使硬件设计人员能够在坚固耐用的高功率应用中以更小的外形尺寸实现更高的效率。

SiC 肖特基二极管采用 Real-2 引脚 (R2P) TO-220-2 通孔功率塑料封装。其他封装选项包括表面贴装（DPAK R2P 和 D2PAK R2P）和通孔 (TO-247-2)，具有真正的 2 引脚配置，可提高高达 175°C 温度下高压应用的可靠性。

“在能源意识日益增强的世界中，随着对大批量、高效率应用的需求显着增加，我们正在为市场带来更多的选择和可用性，”Nexperia 碳化硅产品组高级总监 Katrin Feurle 表示。

新型 SiC 二极管现已提供样品并已量产。 Nexperia 计划不断扩大其 SiC 二极管产品组合，包括在 650V 和 1200V 电压下工作、电流在 6-20A 范围内的汽车级部件。

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标签：碳化硅肖特基势垒二极管

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