Navitas 的 GeneSiC MOSFET 用于 Exide 的工业高频充电器

新闻： 微电子

25 May 2023

美国加利福尼亚州托伦斯的氮化镓 (GaN) 功率 IC 和碳化硅 (SiC) 技术公司 Navitas Semiconductor 表示，其 GeneSiC 功率半导体已被法国 Exide Technologies 采用，以确保可靠性、安全性、易用性在其用于工业物料搬运设备的高频快速充电器中使用和优化充电。

作为工业和汽车市场可持续电池存储解决方案的供应商，Exide 的一系列铅酸和锂离子解决方案服务于包括牵引电池和物料搬运设备和机器人充电解决方案在内的应用，最大限度地延长车队正常运行时间，同时最大限度地降低总拥有成本.

作为一种宽带隙功率半导体材料，碳化硅正在可再生能源、储能和微电网、电动汽车 (EV) 和工业应用等高功率、高电压应用中迅速取代硅芯片。 Navitas 声称，GeneSiC“沟槽辅助平面栅极”SiC MOSFET 技术提供高效率、高速性能，使外壳温度降低高达 25°C，寿命比替代 SiC 产品长三倍。 GeneSiC MOSFET 具有最高发布的 100% 测试雪崩能力、长 30% 的短路耐受时间以及易于并联的稳定阈值电压，适用于大功率、快速上市的应用，该公司补充道.

Exide 的高频充电器将 220V 交流电转换为 24V 至 80V 之间的电池电压，适用于铅酸和锂离子动力工业车辆。 7kW 模块使用 GeneSiC G3R60MT07D (750V) MOSFET 和 GD10MPS12A (1200V) MPS 肖特基二极管，具有频率优化架构。 同平台可升级至10kW，四个模块并联，提供40kW的可靠快充功率。

Exide Technologies 产品管理运动总监 Dominik Margraf 博士说：“Exide Technologies 提供完整、精心控制的快速充电，并对关键材料处理设备进行密切的系统监控，全天候运行。” “Navitas 的 GeneSiC 技术易于使用，具有出色的支持、更高的系统效率和更低的运行温度，”他评论道。

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标签： 电力电子

访问： www.navitassemi.com

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• Sumber: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/navitas-250523.shtml