三菱电机出货 3.3kV SBD 嵌入式 SiC MOSFET 模块样品

新闻： 微电子

11 May 2023

总部位于东京的三菱电机公司在发布了四个全 SiC 模块和两个 3.3kV 高压双型 LV100 模块后表示，将于 31 月 3.3 日开始发货新型肖特基势垒二极管 (SBD) 嵌入式碳化硅样品（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模块，具有6.0kV和XNUMXkV双型耐压有效值 隔离电压（介电强度）。

新模块FMF100DC-140BEW尺寸为40mm x 800mm x 66mm，预计将为铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统提供卓越的功率输出、效率和可靠性。

图片：三菱电机新型3.3kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块。

据称，SBD嵌入式SiC-MOSFET和优化的封装结构与该公司现有的硅功率模块相比，开关损耗降低了91%，与现有的SiC功率模块相比，开关损耗降低了66%，从而降低了逆变器功率损耗，有助于提高输出功率和功率。效率。

据说，SBD 嵌入式 SiC-MOSFET 和优化的电流容量也可以提高逆变器的可靠性。

优化的端子布局可实现并联连接，并根据并联数量支持各种逆变器配置和容量。此外，直流和交流主端子极性相反的封装结构有助于简化电路设计。

新模块 FMF800DC-66BEW 正在各大贸易展会上展出，包括在德国纽伦堡举行的 2023 年欧洲电源、控制和智能运动 (PCIM) 活动（9 月 11 日至 XNUMX 日）。

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标签： SiC功率模块 三菱电机

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