意法半导体欧洲领先芯片制造商被追究责任 违反普渡大学规定 专利 相关的 晶体管 技术。 该裁决由陪审团在 西得克萨斯州 法院做出了 32.5 万美元损害赔偿的判决。 陪审团支持普渡大学的论点，即 ST 使用 碳化硅 金属氧化物 半导体 场效应晶体管 (MOSFET的）在电动汽车充电器和其他设备中侵犯了该大学的专利权，特别是与为“高压电源应用”设计的晶体管有关的专利权。 作为回应，ST发言人宣布该公司计划通过提起上诉来对判决提出质疑。
迈克尔·肖尔代表普渡大学的一名律师强调了针对 ST 的令人信服的证据，并暗示了潜在的额外证据 特许权使用费 在该专利于 100 年到期之前，其价值将超过 2026 亿美元。
MOSFET 通过控制和放大电流在电子设备中发挥着关键作用。 普渡大学于2021年对ST发起诉讼，指控该公司的MOSFET 侵权 基于其两项晶体管技术专利。 然而，普渡大学的一项专利于 XNUMX 年被该大学从该案件中删除。 西拉斐特，印第安纳州 去年。 ST 对这些指控提出异议，认为普渡大学剩余的专利无效。
这场法律纠纷被称为普渡大学诉意法半导体国际公司，并在 美国德克萨斯州西区地方法院 案件编号 6:21-cv-00727。
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- Sumber: https://www.iniplaw.org/legal-verdict-stmicroelectronics-liable-for-32-5m-damages-to-purdue-university-in-transistor-technology-patent-case/
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时间戳记： 2023 年 11 月 10 日
