亚琛工业大学和彼得格伦伯格研究所的研究人员发表了一篇题为“带有镍电极的六方氮化硼阈值忆阻器的电阻开关和电流传导机制”的新技术论文。
摘要：
“二维绝缘材料六方氮化硼（h-BN）作为忆阻器件的活性介质，由于其良好的物理特性（其中包括可实现大开关窗口的宽带隙）而备受关注。 金属丝形成经常被建议用于 h-BN 器件作为电阻开关 (RS) 机制，通常由高度专业化的方法支持，如导电原子力显微镜 (C-AFM) 或透射电子显微镜 (TEM)。 在这里，通过电流传导机制研究了具有两个镍 (Ni) 电极的多层六方氮化硼 (h-BN) 阈值忆阻器的开关。 通过与温度相关的电流电压测量来分析高电阻状态和低电阻状态。 提出了镍丝沿着 h-BN 薄膜中硼缺陷的形成和收缩作为电阻切换机制。 电气数据与 TEM 分析相验证，以建立与温度相关的电流-电压测量，作为分析由 2D 材料制成的忆阻器中的电阻开关现象的宝贵工具。 忆阻器具有宽且可调的电流工作范围和低待机电流，符合基于 h-BN 的阈值开关的最新技术水平，具有 2% 的低周期变化性和大导通电流。 /关闭比为57设立的区域办事处外，我们在美国也开设了办事处，以便我们为当地客户提供更多的支持。“
找出 这里的技术论文. 2023 年 XNUMX 月出版。
, , , , , , , , , , , 镍电极六方氮化硼阈值忆阻器的电阻开关和电流传导机制. 进阶 功能 母校 2023，2300428。https://doi.org/10.1002/adfm.202300428。
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- Sumber: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/
