用于 GaN 栅极注入晶体管的不带加速电容器的栅极驱动电路

名古屋大学的研究人员发表了一篇题为“适合 GaN 栅极注入晶体管的栅极驱动电路”的技术论文。

抽象
“GaN 栅极注入晶体管 (GIT) 作为功率半导体器件具有巨大潜力。然而，GaN GIT在栅极-源极处具有二极管特性，因此需要相应的栅极驱动电路。文献中的一些研究提出了带有加速电容器的栅极驱动电路，但是添加这些电容器使栅极驱动电路变得复杂，并且增加了驱动损耗和反向传导损耗。此外，用这种栅极驱动电路驱动GaN GIT变得更容易受到错误导通的影响。本文提出了一种适用于 GaN GIT 且无需加速电容器的栅极驱动电路。这种类型可以提供高速开关，并表现出较低的栅极驱动损耗和反向导通损耗。所提出的电路还具有较高的抗误导能力，并且在启动前后具有稳定的栅源电压。计算了所提出类型的驱动损耗，并通过实验证实了其有效性。此外，还将所提出类型的驱动损耗与传统电路进行了比较。结果表明，与传统类型相比，该类型的驱动损耗提高了 50%。最后，对所提出的类型进行了实验测试，以驱动开关频率为 150 kHz 的降压转换器。与传统类型相比，转换器的整体损耗在 9.2 W 时可降低高达 250%。”

找出 这里的技术论文. 2023 年 XNUMX 月出版。

F. Hattori、Y. Yanagisawa、J. Imaoka 和 M. Yamamoto，“适用于 GaN 栅极注入晶体管的栅极驱动电路”，IEEE Access，doi：10.1109/ACCESS.2023.3270261。

相关阅读
GaN 功率器件：稳定性、可靠性和鲁棒性问题
功率半导体：深入研究材料、制造和业务
这些设备的制造和工作方式、制造中的挑战、相关初创公司，以及花费如此多的精力和资源来开发新材料和新工艺的原因。

• SEO 支持的内容和 PR 分发。 今天得到放大。
• 柏拉图爱流。 Web3 数据智能。 知识放大。 访问这里。
• 与 Adryenn Ashley 一起铸造未来。 访问这里。
• 使用 PREIPO® 买卖 PRE-IPO 公司的股票。 访问这里。
• Sumber: https://semiengineering.com/gate-drive-circuit-without-a-speed-up-capacitor-for-a-gan-gate-injection-transistor/