EPC Launches 200V, 10mΩ GaN FET - Plato AiStream V2.1

由柏拉图重新发布

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31，2023

位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多的 Efficient Power Conversion Corp (EPC) 推出了 200V、10mΩ EPC2307，该公司制造用于电源管理应用的增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率场效应晶体管 (FET) 和集成电路采用 3mm x 5mm 封装的耐热增强型 QFN 封装。

新器件完善了额定电压为 100V、150V 和 200V 的六个 GaN 晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案尺寸，并且易于设计，适用于 DC-DC 转换、AC/DC SMPS 和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，和电机驱动。

EPC2307 与之前发布的 100V、1.8mΩ EPC2302、100V 3.8mΩ EPC2306、150V、3mΩ EPC2305、150V、6mΩ EPC2308 和 200V、5mΩ EPC2304 兼容，允许设计人员权衡导通电阻 (RDS（上）) 与价格相比，通过在同一 PCB 占位面积中放入不同的零件号来优化效率或成本的解决方案。

这些器件采用顶部裸露的耐热增强型 QFN 封装。极小的热阻改善了通过散热器或散热器的散热，从而实现出色的热性能，而可润湿侧面简化了组装，封装兼容性为规格变化提供了设计灵活性，从而加快了上市时间。

据称该系列器件可为电机驱动设计带来多项优势，包括电机+逆变器系统高效率的极短死区时间、用于降低磁损耗的较低电流纹波、用于提高精度的较低转矩纹波以及用于降低成本的低滤波。

对于 DC-DC 转换应用，这些器件提供高达五倍的功率密度、出色的散热性能，以及在硬开关和软开关设计中更低的系统成本。此外，振铃和过冲都显着减少，以改善 EMI。

联合创始人兼首席执行官亚历克斯·利多 (Alex Lidow) 表示：“这个封装兼容、易于组装的设备系列的不断扩展为工程师提供了快速优化设计的灵活性，而不会延迟上市时间。” “该系列器件非常适合更小、更轻的电机驱动器、更高效和更小的 DC-DC 转换器，以及更高效的太阳能优化器和微型逆变器。”

为简化评估流程并加快上市时间，EPC90150 开发板是一款采用 EPC2307 GaN 的半桥。 2” x 2” (50.8mm x 50.8mm) 电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件以便于评估。

EPC2307 的千片批购价为每片 3.54 美元。 EPC1000 开发板的单价为 90150 美元。所有器件和电路板均可从分销商 Digi-Key Corp 处立即交付。

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标签： EPC E型GaN FET

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