晶体管是现代电子产品的构建模块，其性能对于许多设备的功能至关重要。限制晶体管性能的关键因素之一是接触电阻，即晶体管源极和漏极之间的电阻。该电阻会导致功率损耗并限制晶体管的速度。幸运的是，二维 (2D) 材料的最新进展使研究人员能够降低接触电阻并提高晶体管性能。
二维材料是一类只有几个原子厚的材料。这些材料具有独特的特性，非常适合用于晶体管。例如，它们具有高导电性并且具有低接触电阻。这意味着它们可用于降低晶体管源极和漏极之间的电阻，从而提高其性能。
研究人员开发了多种使用二维材料降低接触电阻的方法。一种方法是使用二维材料作为晶体管源极和漏极之间的“桥梁”。该桥减少了两个触点之间的距离，从而降低了接触电阻。另一种方法是使用二维材料作为源极和漏极之间的“势垒”。该屏障可防止电流泄漏，从而降低接触电阻。
除了降低接触电阻之外，2D材料还可以用于改善晶体管性能的其他方面。例如，它们可用于减少栅极泄漏，即通过晶体管栅极泄漏的电流量。这降低了功耗并提高了速度。此外，2D材料可用于提高晶体管的击穿电压，这是晶体管失效之前可以承受的最大电压。
总体而言，二维材料使研究人员能够降低接触电阻并提高晶体管性能。通过使用这些材料作为晶体管源极和漏极之间的桥梁或势垒，研究人员可以降低接触电阻并改善晶体管性能的其他方面。这使得研究人员能够创造出更快、更高效的晶体管，可用于各种应用。
