博世收购美国芯片制造商 TSI，将加州工厂增至德国罗伊特林根和德累斯顿工厂

由柏拉图重新发布

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26 2023月

作为将其半导体业务扩展到碳化硅 (SiC) 芯片制造的一部分，德国罗伊特林根的罗伯特博世有限公司计划收购美国加利福尼亚州罗斯维尔的 TSI 半导体公司。

作为一家拥有 250 名员工的专用集成电路 (ASIC) 代工厂，TSI 目前主要在 200 毫米硅晶圆上开发和生产大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学领域的应用。未来几年，博世计划在罗斯维尔工厂投资超过 1.5 亿美元，并将 TSI 制造设施转换为碳化硅 (SiC) 工艺，目标是从 200 年开始在 2026 毫米晶圆上生产芯片。

因此，博世表示，随着电动汽车的全球繁荣和增长带来巨大需求，博世的目标是到 2030 年底大幅扩展其全球 SiC 芯片产品组合。计划投资的全部范围将在很大程度上取决于通过美国 CHIPS 和科学法案获得的联邦资助机会以及加利福尼亚州的经济发展机会。该交易尚需获得监管部门的批准。

TSI Semiconductors 位于加利福尼亚州罗斯维尔的工厂。

图片：TSI Semiconductors 位于加利福尼亚州罗斯维尔的工厂。

“通过收购 TSI 半导体，我们正在一个重要的销售市场建立 SiC 芯片的制造能力，同时也在全球范围内增加我们的半导体制造，”博世管理委员会主席 Stefan Hartung 博士说。 “罗斯维尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的 SiC 芯片，”他补充道。

“罗斯维尔的工厂自 1984 年就已存在。在近 40 年的时间里，这家美国公司在半导体生产方面积累了丰富的专业知识，”博世董事会成员、移动解决方案业务部门主席 Markus Heyn 博士指出。 “我们现在将把这种专业知识整合到博世半导体制造网络中，”他补充道。

“我们很高兴加入一家拥有广泛半导体专业知识的全球运营技术公司，”TSI 首席执行官 Oded Tal 评论道。 “我们在罗斯维尔的工厂将成为博世 SiC 芯片制造业务的重要补充。”

收购创造新的制造能力

罗斯维尔的新工厂将加强博世的国际半导体制造网络。从 2026 年开始，在重新加工阶段之后，第一批 SiC 芯片将在占地约 200 米的工厂中以 10,000 毫米晶圆生产2 洁净室空间。

博世表示，它很早就投资了碳化硅芯片的研发和生产。自 2021 年以来，它一直在使用自己的专有工艺在斯图加特附近的罗伊特林根工厂大规模生产它们。未来，罗伊特林根还将在 200 毫米晶圆上生产它们。到 2025 年底，该公司将扩大其在罗伊特林根的洁净室空间，面积约为 35,000 平方米2 超过44,000 m2. “SiC 芯片是电动汽车的关键部件，”Heyn 指出。 “通过在国际上扩展我们的半导体业务，我们正在加强我们在重要电动汽车市场的本地影响力。”

汽车行业对芯片的需求仍然很高。到 2025 年，博世预计每辆新车平均会集成 25 颗芯片。 SiC 芯片市场也在继续快速增长——平均每年增长 30%。主要驱动因素是电动汽车的全球繁荣和增长。在电动汽车中，SiC 芯片可减少高达 50% 的能源消耗，从而实现更大的续航里程和更高效的充电。它们安装在这些车辆的电力电子设备中，可确保车辆一次充电即可行驶更长的距离——平均而言，可能的行驶距离比硅基芯片多 6%。

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标签： SiC功率器件

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