ROHM’s Fourth-gen SiC MOSFETs To Be Used In Hitachi Astemo’s EV Inverters

افلاطون کے ذریعہ دوبارہ شائع کیا گیا۔

فالونگ: 0

11 جنوری 2023

جاپان کے ROHM نے اپنے نئے چوتھی نسل کے سلکان کاربائیڈ (SiC) MOSFETs اور گیٹ ڈرائیور ICs کو الیکٹرک وہیکل (EV) انورٹرز میں اپنانے کا اعلان کیا ہے جو جاپانی آٹو موٹیو پارٹس بنانے والی کمپنی Hitachi Astemo لمیٹڈ نے بنایا ہے۔

خاص طور پر EVs کے لیے، انورٹر، جو کہ ڈرائیو سسٹم میں مرکزی کردار ادا کرتا ہے، کو کروزنگ رینج کو بڑھانے اور آن بورڈ بیٹری کے سائز کو کم کرنے کے لیے زیادہ موثر بنانے کی ضرورت ہے، جس سے SiC پاور ڈیوائسز کی توقعات بڑھ جاتی ہیں۔

ROHM کا کہنا ہے کہ اس کی تازہ ترین چوتھی نسل کے SiC MOSFETs بہتر شارٹ سرکٹ کو برداشت کرنے کا وقت فراہم کرتے ہیں اور اس کے ساتھ ساتھ یہ صنعت کی سب سے کم آن مزاحمت ہونے کا دعویٰ کیا جاتا ہے، جس سے بجلی کی کھپت کو 6 فیصد کم کر کے الیکٹرک گاڑیوں کی کروز رینج کو بڑھانا ممکن ہو جاتا ہے۔ سلکان IGBTs (جیسا کہ بین الاقوامی معیار کے WLTC ایندھن کی کارکردگی کے ٹیسٹ کے حساب سے لگایا جاتا ہے) جب مین انورٹر میں انسٹال ہوتا ہے۔

Hitachi Astemo، جو کئی سالوں سے گاڑیوں کی موٹروں اور انورٹرز کے لیے جدید ٹیکنالوجیز تیار کر رہا ہے، پہلے سے ہی تیزی سے مقبول EV مارکیٹ میں ٹریک ریکارڈ رکھتا ہے۔ تاہم، یہ پہلا موقع ہے کہ کارکردگی کو مزید بہتر بنانے کے لیے مین انورٹر سرکٹ کے لیے SiC ڈیوائسز کو اپنایا جائے گا۔ انورٹرز 2025 سے کار سازوں کو فراہم کیے جائیں گے، جو جاپان میں شروع ہوں گے اور پھر بیرون ملک پھیلیں گے۔

ROHM کا کہنا ہے کہ، آگے بڑھتے ہوئے، SiC پاور ڈیوائسز کے فراہم کنندہ کے طور پر، یہ اپنی لائن اپ کو مضبوط کرتا رہے گا اور پاور سلوشنز فراہم کرتا رہے گا جو کارکردگی کو زیادہ سے زیادہ کرنے کے لیے ڈیزائن کیے گئے کنٹرول ICs جیسی پیریفرل ڈیوائس ٹیکنالوجیز کو یکجا کرکے گاڑیوں میں تکنیکی اختراع میں حصہ ڈالتے ہیں۔

متعلقہ اشیاء دیکھیں:

ROHM کی چوتھی نسل کے SiC MOSFETs کو EVs کے لیے SEMIKRON کے eMPack پاور ماڈیولز میں استعمال کیا جائے گا۔

ROHM نے چوتھی نسل کے SiC MOSFETs کی نقاب کشائی کی۔

ٹیگز: روہیم SiC پاور MOSFET

ملاحظہ کریں: www.hitachiastemo.com/en

ملاحظہ کریں: www.rohm.com/web/global/sic-mosfet