02 جون 2023 (نانورک نیوز) CEA-Leti research scientists have demonstrated that electrons and other charge carriers can move faster in germanium tin than in silicon or germanium, enabling lower operation voltages and smaller footprints in vertical than in planar devices. This proof-of-concept breakthrough means vertical transistors made of germanium tin are promising candidates for future low-power, high-performance chips and possibly quantum computers.
Germanium–tin ٹرانجسٹر exhibit an electron mobility that is 2.5 times higher than a comparable transistor made of pure germanium. GeSn is otherwise compatible with the existing CMOS process for chip fabrication. Because germanium and tin come from the same periodic table group as silicon, these transistors could be integrated directly into conventional silicon chips with existing production lines.
A recently published paper in مواصلات انجینئرنگ (“Vertical GeSn nanowire MOSFETs for CMOS beyond silicon”) notes that “GeSn alloys offer a tunable energy bandgap by varying the Sn content and adjustable band off-sets in epitaxial heterostructures with Ge and SiGe. In fact, a recent report has shown that the use of Ge0.92Sn0.08 جیسا کہ Ge nanowires (NWs) کے سب سے اوپر کا ذریعہ p-MOSFET کی کارکردگی کو بڑھاتا ہے۔
Electron micrograph of the germanium-tin transistor: The design follows a 3D nanowire geometry that is also used in the latest generation of computer processors. (Image: Forschungszentrum Jülich)
“In addition to their unprecedented electro-optical properties, a major advantage of GeSn binaries is also that they can be grown in the same epitaxy reactors as Si and SiGe alloys, enabling an all-group IV optoelectronic semiconductor platform that can be monolithically integrated on Si,” the paper reports.
That project research included contributions from several organizations in addition to CEA-Leti, which delivered the epitaxial stacks. Epitaxy is carried out on a very ordered template, a silicon substrate, with a very precise crystal structure. By changing the material, CEA-Leti duplicated its diamond crystalline structure in the layers it put on top.
“Epitaxy is the art of making multi-layers by duplicating the original structure and is performed at low temperature with gaseous precursors in a chemical vapor deposition (CVD) reactor,” said Jean-Michel Hartmann, a CEA Fellow and team leader, group-IV epitaxy at CEA-Leti.
Depositing this kind of stack and mastering the epitaxial-layer growth is an extremely complex step in a process flow requiring patterned cylinders and conformal gate stack deposition – in short, manufacturing the entire device. CEA-Leti, one of the few RTOs globally that is able to deposit such complex in-situ doped Ge/GeSn stacks, performed that part of the joint research reported in the paper.
“The collaboration demonstrated the potential of low-bandgap GeSn for advanced transistors with interesting electrical properties, such as high carrier mobilities in the channel, low operating voltages and a smaller footprint,” explained Hartmann, a co-author of the paper. “Industrialization is still far away. We are advancing on the state of the art and showing the potential of germanium tin as a channel material.”
The work also included scientists from ForschungsZentrum Jülich, Germany; the University of Leeds, United Kingdom; IHP- Innovations for High Performance Microelectronics, Frankfurt (Oder), Germany, and RWTH Aachen University, Germany.
- SEO سے چلنے والا مواد اور PR کی تقسیم۔ آج ہی بڑھا دیں۔
- پلیٹوآئ اسٹریم۔ ویب 3 ڈیٹا انٹیلی جنس۔ علم میں اضافہ۔ یہاں تک رسائی حاصل کریں۔
- ایڈریین ایشلے کے ساتھ مستقبل کا نقشہ بنانا۔ یہاں تک رسائی حاصل کریں۔
- PREIPO® کے ساتھ PRE-IPO کمپنیوں میں حصص خریدیں اور بیچیں۔ یہاں تک رسائی حاصل کریں۔
- ماخذ: https://www.nanowerk.com/nanotechnology-news2/newsid=63102.php
- : ہے
- : ہے
- 10
- 3d
- 7
- 8
- 9
- a
- قابلیت
- اس کے علاوہ
- سایڈست
- اعلی درجے کی
- پیش قدمی کرنا
- فائدہ
- بھی
- an
- اور
- کیا
- فن
- AS
- At
- دور
- بینڈ
- BE
- کیونکہ
- سے پرے
- پیش رفت
- by
- کر سکتے ہیں
- امیدواروں
- کیا ہوا
- کیریئرز
- سینٹر
- تبدیل کرنے
- چینل
- چارج
- کیمیائی
- چپ
- چپس
- شریک مصنف۔
- تعاون
- کس طرح
- موازنہ
- ہم آہنگ
- پیچیدہ
- کمپیوٹر
- کمپیوٹر
- تصور
- مواد
- شراکت دار
- روایتی
- سکتا ہے
- کرسٹل
- تاریخ
- ڈیلیور
- demonstrated,en
- ثبوت
- ۱۰۰۰۰ ڈالر ڈیپازٹ
- ڈیزائن
- آلہ
- کے الات
- ڈائمنڈ
- براہ راست
- برقی
- کو فعال کرنا
- توانائی
- بڑھاتا ہے
- پوری
- نمائش
- موجودہ
- وضاحت کی
- انتہائی
- حقیقت یہ ہے
- دور
- تیز تر
- ساتھی
- چند
- بہاؤ
- مندرجہ ذیل ہے
- فوٹ پرنٹ
- کے لئے
- سے
- مستقبل
- ge
- نسل
- ستادوستی
- جرمنی
- عالمی سطح پر
- گروپ
- اضافہ ہوا
- ترقی
- ہے
- ہائی
- اعلی کارکردگی
- اعلی
- HTTPS
- تصویر
- in
- شامل
- بدعت
- ضم
- دلچسپ
- میں
- IT
- میں
- مشترکہ
- فوٹو
- بچے
- بادشاہت
- تازہ ترین
- تہوں
- رہنما
- لائنوں
- لو
- بنا
- اہم
- بنانا
- مینوفیکچرنگ
- ماسٹرنگ
- مواد
- کا مطلب ہے کہ
- مشرق
- موبلٹی
- منتقل
- نوٹس
- of
- پیش کرتے ہیں
- on
- ایک
- کام
- آپریشن
- or
- تنظیمیں
- اصل
- دیگر
- دوسری صورت میں
- باہر
- کاغذ.
- حصہ
- کارکردگی
- پرفارمنس
- کارکردگی
- متواتر
- پی ایچ پی
- پلیٹ فارم
- پلاٹا
- افلاطون ڈیٹا انٹیلی جنس
- پلیٹو ڈیٹا
- ممکنہ طور پر
- ممکنہ
- عین مطابق
- عمل
- پروسیسرز
- پیداوار
- منصوبے
- وعدہ
- ثبوت
- تصور کا ثبوت
- خصوصیات
- شائع
- ڈال
- کوانٹم
- کوانٹم کمپیوٹرز
- حال ہی میں
- حال ہی میں
- رپورٹ
- اطلاع دی
- رپورٹیں
- تحقیق
- کہا
- اسی
- سائنسدانوں
- سیمکولیٹر
- کئی
- مختصر
- دکھایا گیا
- سلیکن
- چھوٹے
- ماخذ
- ڈھیر لگانا
- Stacks
- حالت
- مرحلہ
- ابھی تک
- ساخت
- اس طرح
- ٹیبل
- ٹیم
- سانچے
- سے
- کہ
- ۔
- مشترکہ
- ریاست
- ان
- یہ
- وہ
- اس
- اوقات
- کرنے کے لئے
- سب سے اوپر
- متحدہ
- متحدہ سلطنت یونائیٹڈ کنگڈم
- یونیورسٹی
- بے مثال
- استعمال کی شرائط
- استعمال کیا جاتا ہے
- عمودی
- بہت
- we
- جس
- ساتھ
- کام
- زیفیرنیٹ