Transistors are the building blocks of modern electronics, and their performance is essential for the functioning of many devices. One of the key factors limiting transistor performance is contact resistance, which is the resistance between the transistor’s source and drain. This resistance can cause power loss and limit the speed of the transistor. Fortunately, recent advances in two-dimensional (2D) materials have enabled researchers to reduce contact resistance and improve transistor performance.
2D materials are a class of materials that are only a few atoms thick. These materials have unique properties that make them ideal for use in transistors. For example, they are highly conductive and have low contact resistance. This means that they can be used to reduce the resistance between the source and drain of a transistor, thus improving its performance.
Researchers have developed several methods to reduce contact resistance using 2D materials. One approach is to use 2D materials as a “bridge” between the source and drain of a transistor. This bridge reduces the distance between the two contacts, thus reducing contact resistance. Another approach is to use 2D materials as a “barrier” between the source and drain. This barrier prevents current leakage, thus reducing contact resistance.
In addition to reducing contact resistance, 2D materials can also be used to improve other aspects of transistor performance. For example, they can be used to reduce gate leakage, which is the amount of current that leaks through the gate of a transistor. This reduces power consumption and increases speed. Furthermore, 2D materials can be used to increase the breakdown voltage of a transistor, which is the maximum voltage it can withstand before it fails.
Overall, 2D materials have enabled researchers to reduce contact resistance and improve transistor performance. By using these materials as bridges or barriers between the source and drain of a transistor, researchers can reduce contact resistance and improve other aspects of transistor performance. This has enabled researchers to create faster, more efficient transistors that can be used in a variety of applications.
- SEO سے چلنے والا مواد اور PR کی تقسیم۔ آج ہی بڑھا دیں۔
- پلیٹو بلاک چین۔ Web3 Metaverse Intelligence. علم میں اضافہ۔ یہاں تک رسائی حاصل کریں۔
- ماخذ: افلاطون ڈیٹا انٹیلی جنس: پلیٹوآئ اسٹریم
- : ہے
- 2D
- 2D مواد
- a
- اس کے علاوہ
- ترقی
- آئی وائر
- رقم
- اور
- ایک اور
- ایپلی کیشنز
- نقطہ نظر
- کیا
- AS
- پہلوؤں
- رکاوٹ
- راہ میں حائل رکاوٹیں
- BE
- اس سے پہلے
- کے درمیان
- بلاکس
- خرابی
- پل
- پلوں
- عمارت
- by
- کر سکتے ہیں
- کیونکہ
- طبقے
- کھپت
- رابطہ کریں
- روابط
- تخلیق
- موجودہ
- ترقی یافتہ
- کے الات
- فاصلے
- ہنر
- الیکٹرونکس
- چالو حالت میں
- بڑھانے
- ضروری
- مثال کے طور پر
- عوامل
- ناکام رہتا ہے
- تیز تر
- چند
- کے لئے
- خوش قسمتی سے
- کام کرنا
- مزید برآں
- ہے
- انتہائی
- مثالی
- کو بہتر بنانے کے
- کو بہتر بنانے کے
- in
- اضافہ
- اضافہ
- IT
- میں
- کلیدی
- لیک
- LIMIT
- بند
- لو
- بنا
- بہت سے
- مواد
- زیادہ سے زیادہ
- کا مطلب ہے کہ
- طریقوں
- جدید
- زیادہ
- زیادہ موثر
- of
- ایک
- دیگر
- کارکردگی
- پلاٹا
- افلاطون آئی وائر
- افلاطون ڈیٹا انٹیلی جنس
- پلیٹو ڈیٹا
- طاقت
- خصوصیات
- حال ہی میں
- کو کم
- کم
- کو کم کرنے
- محققین
- مزاحمت
- سیمی کنڈکٹر / ویب 3
- کئی
- ماخذ
- تیزی
- کہ
- ۔
- ماخذ
- ان
- ان
- یہ
- کے ذریعے
- کرنے کے لئے
- منفرد
- استعمال کی شرائط
- مختلف اقسام کے
- وولٹیج
- Web3
- جس
- زیفیرنیٹ