Nexperia, zorlu güç dönüştürme uygulamaları için 650V SiC diyotları piyasaya sürüyor

Nexperia, zorlu güç dönüştürme uygulamaları için 650V SiC diyotları piyasaya sürüyor

Zaman Damgası: 20 Nisan 2023 2:08
Kaynak Düğüm: 2598611

Haberler: Mikroelektronik

20 Nisan 2023

Hollanda'nın Nijmegen kentindeki Nexperia BV (Wingtech Technology Co Ltd'nin bir yan kuruluşu), ultra yüksek performans, düşük kayıp ve yüksek verimlilik gerektiren güç uygulamaları için tasarlanmış 650V silikon karbür (SiC) Schottky diyotunu piyasaya sürdü.

10A, 650V SiC Schottky diyot, zorlu yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarının zorluklarını karşılayan endüstriyel sınıf bir parçadır. Bunlar arasında anahtarlamalı güç kaynakları, AC-DC ve DC-DC dönüştürücüler, akü şarj altyapısı, kesintisiz güç kaynakları (UPS) ve fotovoltaik invertörler bulunur ve daha sürdürülebilir operasyonlara olanak tanır. Örneğin, Nexperia'nın PSC1065K SiC Schottky diyotu kullanılarak tasarlanan güç kaynaklarıyla donatılmış veri merkezleri, katı enerji verimliliği standartlarını karşılamak için yalnızca silikon bazlı çözümler kullananlara göre daha iyi konumlandırılacaktır.

PSC1065K, sıcaklıktan bağımsız kapasitif anahtarlama ve sıfır kurtarma davranışı ile öncü performans olduğu iddia edilen performansı sunarak olağanüstü bir değer (Q) elde edilmesini sağlar.C xVF). Anahtarlama performansı neredeyse tamamen akım ve anahtarlama hızı değişimlerinden bağımsızdır. PSC1065K'nın birleştirilmiş PiN Schottky (MPS) yapısı, ek koruma devresine olan ihtiyacı ortadan kaldıran aşırı akımlara karşı olağanüstü sağlamlık gibi ek avantajlar sağlar. Bu özellikler sistem karmaşıklığını önemli ölçüde azaltır ve donanım tasarımcılarının dayanıklı, yüksek güçlü uygulamalarda daha küçük form faktörleriyle daha yüksek verimlilik elde etmelerine olanak tanır.

SiC Schottky diyot, Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 delikli güç plastik paketinde kapsüllenmiştir. Ek paket seçenekleri arasında, 2°C'ye kadar sıcaklıklarda yüksek gerilim uygulamalarında güvenilirliği artıran gerçek 2 pinli konfigürasyona sahip yüzeye montaj (DPAK R2P ve D247PAK R2P) ve geçiş deliği (TO-2-175) yer alır.

Nexperia'nın SiC Ürün Grubu kıdemli yöneticisi Katrin Feurle, "Enerji bilincinin giderek arttığı bir dünyada, yüksek hacimli, yüksek verimli uygulamalara olan talep önemli ölçüde arttıkça, pazara daha fazla seçenek ve kullanılabilirlik sunuyoruz" diyor.

Yeni SiC diyotların örnekleri ve üretim miktarları artık mevcut. Nexperia, 650–1200A aralığında akımlarla 6V ve 20V gerilimlerde çalışan otomotiv sınıfı parçaları dahil ederek SiC diyot portföyünü sürekli olarak genişletmeyi planlıyor.

İlgili öğelere bakın:

Nexperia, yüksek güçlü silisyum karbür diyot pazarına girerek geniş bant aralığı yelpazesini genişletiyor

Etiketler: SiC Schottky bariyer diyotları

Ziyaret: www.nexperia.com

Zaman Damgası:

Den fazla Yarıiletken Bugün