2B Malzemeler Kullanarak Transistörlerde Temas Direncini Artırma

2B Malzemeler Kullanarak Transistörlerde Temas Direncini Artırma

Kaynak Düğüm: 2018671

Transistörler, bilgisayarlardan cep telefonlarına kadar her şeyde kullanılan modern elektroniklerin temel bileşenleridir. Ancak transistörlerle ilgili en büyük sorunlardan biri, performanslarını ve verimliliklerini sınırlayabilen temas direncidir. Neyse ki, 2D malzemelerdeki son gelişmeler, transistörlerdeki temas direncini artırmak için yeni olasılıkların önünü açtı.

2D malzemeler yalnızca bir veya iki atom kalınlığındaki bir malzeme sınıfıdır. Bu onları inanılmaz derecede ince ve hafif yapar ama aynı zamanda son derece iletkendir. Sonuç olarak, transistörler ve diğer bileşenler arasında son derece düşük dirençli kontaklar oluşturmak için kullanılabilirler. Bu, ısı şeklinde kaybedilen enerji miktarını azaltır ve transistörün verimliliğini arttırır.

Temas direncini artırmak için en umut verici 2 boyutlu malzemelerden biri grafendir. Grafen, altıgen bir kafes halinde düzenlenmiş tek bir karbon atomu katmanıdır. Mükemmel elektriksel ve termal iletkenliğe sahiptir, bu da onu transistörler arasında düşük dirençli kontaklar oluşturmak için ideal bir malzeme haline getirir. Ayrıca grafen inanılmaz derecede güçlü ve esnektir, bu da onu çeşitli uygulamalarda kullanıma uygun hale getirir.

Gelecek vaat eden bir diğer 2D malzeme ise molibden disülfittir (MoS2). MoS2, altıgen bir kafes halinde düzenlenmiş tek bir atom katmanı olması bakımından grafene benzer. Bununla birlikte, grafenden daha yüksek bir elektrik iletkenliğine sahiptir, bu da onu transistörler arasında düşük dirençli temaslar oluşturmak için daha da uygun hale getirir.

Grafen ve MoS2'ye ek olarak transistörlerdeki temas direncini artırmak için kullanılabilecek başka 2 boyutlu malzemeler de vardır. Bunlar arasında bor nitrür, altıgen bor nitrür ve geçiş metali dikalkogenitler bulunur. Bu malzemelerin her biri, onları farklı uygulamalara uygun kılan benzersiz özelliklere sahiptir.

Genel olarak 2D malzemeler, transistörlerdeki temas direncini artırmanın umut verici bir yolunu sunuyor. Mühendisler, transistörler ve diğer bileşenler arasında düşük dirençli temaslar oluşturmak için bu malzemeleri kullanarak cihazlarının verimliliğini ve performansını artırabilir. 2 boyutlu malzemelere yönelik araştırmalar ilerlemeye devam ettikçe, gelecekte bu malzemelere yönelik daha fazla uygulama görmeyi bekleyebiliriz.

Zaman Damgası:

Den fazla Yarı iletken / Web3