2D Malzemeler Kullanarak Kontak Direncinin Azaltılması Yoluyla Transistör Performansının Artırılması

2D Malzemeler Kullanarak Kontak Direncinin Azaltılması Yoluyla Transistör Performansının Artırılması

Kaynak Düğüm: 2018488

Transistörler modern elektroniklerin yapı taşlarıdır ve performansları birçok cihazın çalışması için gereklidir. Transistör performansını sınırlayan temel faktörlerden biri, transistörün kaynağı ile drenajı arasındaki direnç olan temas direncidir. Bu direnç güç kaybına neden olabilir ve transistörün hızını sınırlayabilir. Neyse ki, iki boyutlu (2D) malzemelerdeki son gelişmeler araştırmacıların temas direncini azaltmasına ve transistör performansını artırmasına olanak tanıdı.

2D malzemeler yalnızca birkaç atom kalınlığındaki bir malzeme sınıfıdır. Bu malzemeler, onları transistörlerde kullanım için ideal kılan benzersiz özelliklere sahiptir. Örneğin oldukça iletkendirler ve temas direnci düşüktür. Bu, bir transistörün kaynağı ile drenajı arasındaki direnci azaltmak ve böylece performansını artırmak için kullanılabilecekleri anlamına gelir.

Araştırmacılar, 2D malzemeleri kullanarak temas direncini azaltmak için çeşitli yöntemler geliştirdiler. Bir yaklaşım, 2 boyutlu malzemeleri bir transistörün kaynağı ve drenajı arasında bir "köprü" olarak kullanmaktır. Bu köprü iki kontak arasındaki mesafeyi azaltarak kontak direncini azaltır. Diğer bir yaklaşım ise 2 boyutlu malzemeleri kaynak ve drenaj arasında bir “bariyer” olarak kullanmaktır. Bu bariyer akım kaçağını önleyerek kontak direncini azaltır.

Temas direncini azaltmanın yanı sıra, 2D malzemeler transistör performansının diğer yönlerini iyileştirmek için de kullanılabilir. Örneğin, bir transistörün kapısından sızan akım miktarı olan kapı sızıntısını azaltmak için kullanılabilirler. Bu, güç tüketimini azaltır ve hızı artırır. Ayrıca, bir transistörün arızalanmadan önce dayanabileceği maksimum voltaj olan arıza voltajını artırmak için 2 boyutlu malzemeler kullanılabilir.

Genel olarak, 2D malzemeler araştırmacıların temas direncini azaltmasına ve transistör performansını artırmasına olanak sağladı. Araştırmacılar, bu malzemeleri bir transistörün kaynağı ve drenajı arasında köprü veya bariyer olarak kullanarak temas direncini azaltabilir ve transistör performansının diğer yönlerini geliştirebilirler. Bu, araştırmacıların çeşitli uygulamalarda kullanılabilecek daha hızlı, daha verimli transistörler oluşturmasına olanak sağladı.

Zaman Damgası:

Den fazla Yarı iletken / Web3